IC insights：NAND闪存资本支出创历史新高

来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自IC insights，谢谢。

IC Insights 预测，今年 NAND 闪存资本支出将增长 8% 至 299 亿美元，超过 2018 年 278 亿美元的历史新高（图 1）。闪存资本支出在 2017 年飙升，当时该行业向 3D NAND 过渡，此后每年都超过 200 亿美元。2022 年，闪存的资本支出预计将增至 299 亿美元，因为大型供应商和小型供应商又将保持适度激进的支出水平。
IC insights：NAND闪存资本支出创历史新高图1

299 亿美元的支出占 2022 年整个 IC 行业资本支出预测 1904 亿美元的 16%，仅落后于晶圆代工部门，该部门预计将占今年行业资本支出的 41%。
新的和最近升级的 NAND 闪存工厂包括三星的 Pyeongtaek Lines 1 和 2（也用于 DRAM 和代工）；三星在中国西安的二期投资；铠侠在日本岩手的 Fab 6 (Flash Ventures) 和 Fab K1；和美光在新加坡的第三家闪存工厂。此外，SK 海力士为其 M15 工厂的剩余空间配备了 NAND 闪存。
在预测期内，随着 NAND 闪存供应商准备从 2022 年底到 2023 年进入 200 层以上设备的竞争，将需要新的晶圆厂和新设备。三星和美光可能是第一个开始量产的公司今年晚些时候的 200 层设备。两家公司以及 SK 海力士目前都在量产 176 层 NAND。三星位于中国西安的晶圆厂是（并将成为）领先 NAND 的关键制造地点，拥有两个晶圆厂，每个晶圆厂全面投产后每月可生产 120,000 片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注，SK 海力士预计将在 2023 年迁移到 196 层。