美光官宣，业界首款232层NAND量产

NAND Flash层数竞争愈演愈烈，继176层NAND之后，各大原厂瞄准200层以上NAND技术，其中美光科技率先突破，三星、铠侠等也在蓄势待发。

NAND Flash进入232层时代

美国东部时间2022年7月26日上午9时，美光科技宣布推出全球首款232层NAND，该产品现已在美光新加坡工厂量产，它最初以组件形式通过美光旗Crucial英睿达SSD消费产品线向客户发货。随后美光将发布其他产品和可用性公告。

△美光232层NAND，图片来源：美光

与前几代美光NAND相比，美光232层NAND具有业界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效，从而为客户端到云端等数据密集型用例提供一流的支持。

美光232层NAND技术提供了必要的高性能存储，以支持数据中心和汽车应用所需的高级解决方案和实时服务，以及在移动设备、消费电子产品和PC上的响应式沉浸式体验。

△美光232层NAND，图片来源：美光

该技术节点能够引入业界最快的NAND I/O速度—每秒2.4GB(GB/s) ，以满足人工智能和机器学习等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求，非结构化数据库和实时分析以及云计算。这一速度比美光176层节点上启用的最快接口快50%。

与上一代相比，232层NAND还提供高达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽。这些单芯片优势转化为SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能效提升。

美光表示，232层NAND是首款支持NV-LPDDR4的生产产品，这是一种低压接口，与之前的I/O接口相比，每比特传输节省30%以上。因此，232层NAND解决方案为数据中心和智能边缘的移动应用和部署提供了理想的支持，必须在提高性能和低功耗之间取得平衡。该接口还向后兼容以支持旧控制器和系统。

232层NAND的紧凑外形为客户的设计提供了灵活性，同时实现了有史以来最高的每平方毫米TLC密度（14.6Gb/mm2），其单位储存密度较目前市场上的TLC竞品相比高出35%至100%。232 层NAND采用新的11.5mmx13.5mm封装，其封装尺寸比美光前几代产品小28%，使其成为市面上最小的高密度NAND。更小尺寸的更高密度可最大限度地减少用于各种部署的电路板空间。

原厂还瞄准500层以上NAND技术

NAND Flash 3D堆叠成为主流技术，层数跨越176层、迈进232层之后，未来原厂将发力200层、300层、400层、甚至500层以上NAND技术。

美光方面，232层NAND不是该公司闪存技术迭代的终点，今年5月美光曝光的技术路线图显示，232层之后美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。

△美光闪存技术路线

美光之外，三星电子、西数、铠侠等原厂也在积极推进闪存层数迭代。

今年2月韩媒报道，三星电子将在2022年底推出200层或以上的第八代NAND闪存。业界透露，三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与176层相比，224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%。

今年5月西数对外表示，将与合作伙伴铠侠2022年底前开始量产162层闪存产品（BiCS6），未来两家公司还将推出200层以上（BiCS+）的闪存产品，2032年之前还将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。

△西数闪存技术路线图

结语

大数据、云计算等技术发展，持续提升NAND Flash需求，同时也不断推动着NAND技术的升级和迭代，NAND Flash原厂层数竞争或将更加激烈。美光已经官宣232层NAND量产，未来谁将引领NAND Flash迈向更高层数时代？我们拭目以待。

文章来源：全球半导体观察 奉颖娴