三星与SK海力士据报拟升级在华晶片厂

据报，韩国三星电子和SK海力士计划升级在中国的工厂，生产更先进的NAND闪存晶片，以应对中国长江存储的竞争，并满足人工智能领域不断增长的需求。两家公司已证实正在升级中国工厂，并就相关计划与美国政府磋商，但没有披露具体安排。

知情人士称，三星计划改造陕西西安工厂，生产286层的第九代V9 NAND晶片；SK海力士则计划将辽宁大连工厂的产线从192层升级至240层或以上。两家公司仍须每年向美国申请许可，才能在中国工厂安装部分美国制造的设备；目前尚不清楚相关出口许可证获批的程度。

市场研究机构Omdia数据显示，长江存储今年第二季度在中国NAND市场的份额升至38.5%，高于去年全年的28%，并超过三星。同期，三星市占率为33.5%，SK海力士为17%。