三星称HBM明年将占DRAM行业近三成产能
三星电子一名高管9月29日表示，高带宽内存（HBM）明年预计将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。
三星电子执行副总裁金泰宇表示，HBM与标准DRAM争用相同的晶圆产能，这意味着扩大HBM产量可能会限制标准DRAM的供应。
HBM是人工智能计算的重要组件，由垂直堆叠的存储芯片组成。
三星电子一名高管9月29日表示，高带宽内存（HBM）明年预计将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。
三星电子执行副总裁金泰宇表示，HBM与标准DRAM争用相同的晶圆产能，这意味着扩大HBM产量可能会限制标准DRAM的供应。
HBM是人工智能计算的重要组件，由垂直堆叠的存储芯片组成。
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