• 12月26日 星期四

美光用232 层NAND 划出了存储新分水岭

随着全球数据量持续攀升,储存容量和性能的提升势在必行,美光今天早上宣布他们的下一代 232 层 NAND 已经开始出货。美光的第六代 3D NAND 技术 232L 将提供更高的带宽和更大的芯片尺寸——最值得注意的是,美光推出了目前业界最密集的 1Tbit TLC NAND 芯片。据该公司称,新的 NAND 已经以有限的数量交付给客户和 Crucial 英睿达 SSD 产品,今年晚些时候将进一步增加产量。

美光表示,这项开创性的技术涵盖诸多层面的创新,包括建立高深宽比结构的先进制程能力、新型材料的开发,以及针对美光领先业界的176 层NAND 技术所进行的设计改进。目前232 层NAND目前正在新加坡晶圆厂量产,会优先以封装颗粒形式及透过美光Crucial SSD 消费性产品系列向客户出货。

美光表示,232层NAND 技术可以支持资料中心和汽车应用所需的先进解决方案和即时服务,也能提供行动装置、消费性电子产品和个人电脑所需的回应速度及沉浸式体验。

首款232 层NAND不仅具备必要的高性能储存,具备业界最高的单位储存密度(areal density),并提供与前几代NAND 相比更高的容量和更佳的能源效率,能提供从终端使用者到云端之间大部分数据密集型应用的最佳功能。

232层NAND 解决方案得以为在提高性能和低功耗之间力求平衡的行动应用、资料中心、智慧边缘的部署提供理想的后援支持。该介面亦向下相容,支持旧款控制器和系统。

美光用232 层NAND 划出了存储新分水岭

来源:anandtech

232 层比美光176 层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快50%,与前一代产品相比,美光232 层NAND 的每晶粒写入频宽提高100%,读取频宽亦增加超过75%,这些优势将进一步强化SSD 和嵌入式NAND 解决方案的性能和能源效率。该技术节点还达到了现今业界最快的NAND I/O 速度2.4 GB/s,将满足以数据为中心的工作负载(如人工智慧、机器学习、非结构化资料库和实时分析、云端运算等)的低延迟和高吞吐量需求。

与此同时,美光也一直在研究其芯片封装的尺寸,因此虽然更大的容量意味着他们的芯片尺寸逐代增加(根据美光的密度数据,我们估计约为 70.1mm2 ),他们仍然将芯片封装缩小了 28%。因此,单芯片封装从 12mm x 18mm (216mm2 ) 缩小到 11.5mm x 13.5mm (~155mm2) 。因此对于美光的下游客户来说,美光 NAND 的更大容量和更小封装的结合意味着设备制造商可以减少分配给 NAND 封装的空间量,或者转向另一个方向并尝试塞进更多的封装进入相似数量的空间。

美光用232 层NAND 划出了存储新分水岭

来源:anandtech

除了密度改进之外,最新一代美光 NAND 还允许该公司升级其硬件以利用更新的 I/O 技术,并实施他们自己的改进以提高传输速度。这里的大新闻是,美光已将其 NAND 裸片内的平面数量从 4 个增加到 6 个,进一步提高了每个裸片内可用的并行度。4个平面的设计在上一代 NAND 中很普遍,并且随着 NAND 密度的增长,平面数量也在增加,以便传输速率跟上这些更高的密度。美光已经确认 232L NAND 中的平面提供独立读取,尽管它们并没有明确说明写入需要什么样的字线依赖性。

这种并行性的提高以及内部传输速率的提高,使美光能够显着提高其每个芯片的读写速度。据该公司称,与 176L 代 NAND 相比,读取速度提高了 75% 以上,同时写入速度翻了一番。

加上这一点,美光还在其外围逻辑上实现了最新一代的 ONFi。ONFi 于 2021 年完成,现已推出第一批 NAND 产品,将控制器-NAND 传输速率提高了 50%,达到 2400MT/秒。ONFi 5.0 还引入了一种新的 NV-LPDDR4 信令方法,该方法具有相同的 2400MT/s 速率,但由于它基于 LPDDR 技术,因此功耗更低。据美光公司称,他们发现每比特能量传输节省了 30% 以上,从而显着降低了能耗。尽管与往常一样进行此类比较,但值得注意的是带宽增益超过了节能(50% 对 30%),

至于产品化,美光正在推销 232L NAND 作为 176L NAND 的全栈替代品——这意味着美光认为它适用于从移动和物联网到客户端和数据中心产品的所有领域。为此,该公司已经开始向他们的客户发货,包括他们自己的 Crucial 子公司。与前几代美光 NAND 一样,尽早开始使用 Crucial 英睿达可以让公司在将新 NAND 应用到自己的企业设备之前获得一些使用新 NAND 开发全功能产品的实践经验。然而,有趣的是,美光目前并未宣布任何新的 Crucial 产品,这强烈暗示 Crucial 将开始在现有产品中实施新的 NAND。

次世代NAND 使各市场的创新成为可能

美光执行副总裁兼事业长Sumit Sadana 表示,美光在NAND 层数方面连续取得了业界第一的进展,还有着打造更精巧的行动装置储存空间、更强的云端运算性能以及更快的人工智慧模型训练等优势,美光的232 层NAND 将是支持各产业数位转型的端到端储存创新的全新基础和标准。

232 层NAND的突破性功能可以在资料中心、更轻薄的笔记型电脑、最新的行动装置和整个智能边缘领域提供更多创新解决方案。

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