• 09月29日 星期日

N25Q00AA13G1240F闪存芯片N25Q00AA13GSF40F

N25Q00AA13G1240F闪存芯片N25Q00AA13GSF40F

BusinessLine和ElectronicsB2B报道,美光准备扩大其位于印度海德拉巴的投资,将目前聘雇的500名研发人力于未来几年内增聘至2,000人。美光总裁兼执行长Sanjay Mehrotra表示,哪里有人才,美光就往哪里去,这是近年来美光持续扩大新加坡投资的原因,但印度也不乏大量人才,当市场商机不断扩大时,美光有必要在所有主要地区拉拢顶尖人才。

对于目前存储器市场需求疲软的境况,新加坡副总理兼财政部长王瑞杰表示,全球目前虽然处于半导体周期的逆风期,但认为2020年后全球需求将逐步复苏,主要是对5G时代的期待很大,美光在日本的DRAM新厂已经竣工,在新加坡的NAND Flash的新工厂则投入运营,也是为了满足未来新市场需求的增长。另一方面,存储产业需求市场结构正在发生变化,以前DRAM和NAND需求主要来自于PC、手机等市场,但随着市场需求的饱和,资料中心、云端运算、物联网、自驾车等对存储器的需求渐成主力,对美光存储器事业的影响力不断增加。

在2015年以前,云端资料中心只占美光事业的一小部分,如今却成为存储器产业需求成长最快的领域之一,不仅如此,汽车对DRAM及NAND的需求也在飞快成长。主要是AI、ADAS技术、5G等应用刺激了新一波存储器需求。 在印度方面,美光全球营运执行副总Manish Bhatia表示,计划让印度成为IT发展的枢纽,并且让美光在印度可以具备其它机能以管理全球生产营运活动,美光要增加逐步扩大工程领域,以拥有全方面终端产品开发的能耐。

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

MT28GU01GAAA2EGC-0AAT

MT28GU01GAAA2EGC-0SIT

MT28GU256AAA1EGC-0SIT

MT28GU256AAA2EGC-0AAT

MT28GU256AAA2EGC-0SIT

MT28GU512AAA1EGC-0SIT

MT28GU512AAA2EGC-0AAT

MT28GU512AAA2EGC-0SIT

N25Q00AA11G1240E

N25Q00AA11G1240F

N25Q00AA11GSF40F

N25Q00AA11GSF40G

N25Q00AA13G1240E

N25Q00AA13G1240F

N25Q00AA13GSF40F

N25Q00AA13GSF40G

N25Q016A11E5140F

N25Q016A11EF640E

N25Q016A11EF640F

N25Q016A11ESC40F

N25Q016A11ESC40G

N25Q032A11EF440E

N25Q032A11EF440F

N25Q032A11EF640E

N25Q032A11EF640F

N25Q032A11ESE40F

N25Q032A11ESE40G

N25Q032A11ESEA0F

N25Q032A11ESF40F

N25Q032A11ESF40G

N25Q032A13E1240E

N25Q032A13E1240F

N25Q032A13E1241E

N25Q032A13E1241F

N25Q00AA13G1240F闪存芯片N25Q00AA13GSF40F

上一篇新闻

乌节路创意游乐嘉年华,年底吃喝玩乐好去处!

下一篇新闻

环旭电子拟收购欧洲第二大EMS公司Asteelflash | 美通社

评论

订阅每日新闻

订阅每日新闻以免错过最新最热门的新加坡新闻。