光刻胶行业深度报告：光刻核心材料亟需替代，国产光刻胶机遇已至

（报告出品方/作者：中泰证券，王芳、杨旭）

1 光刻胶：光刻工艺所需核心材料，助力制程持续升级

光刻胶百年发展史，是光刻工艺所需关键材料。光刻胶被应用于印刷 工业已经超过一个世纪。到 20 世纪 20 年代，开始被用于 PCB 领域， 到 20 世纪 50 年代，开始被用于生产晶圆。20 世纪 50 年代末， eastman kodak（伊士曼柯达公司）和 Shipley（已被陶氏收购）分别 设计出适合半导体工业所需的正胶和负胶。光刻胶用于光刻工艺，帮助 将设计好的电路图形由掩膜版转移至硅片，从而实现特定的功能。光刻 胶的质量和性能直接影响制造产线良率。

以集成电路为例，光刻工艺步骤和光刻胶的使用场景如下：

1）气体硅片表面预处理：在光刻前，硅片会经历一次湿法清洗和去离 子水冲洗，目的是去除沾污物。在清洗完毕后，硅片表面需要经过 疏水化处理，用来增强硅片表面同光刻胶（通常是疏水性的）的黏 附性。

2）旋涂光刻胶，抗反射层：在气体预处理后，光刻胶需要被涂敷在硅 片表面。涂敷的方法是最广泛使用的旋转涂胶方法，光刻胶（大约 几毫升）先被管路输送到硅片中央，然后硅片会被旋转起来，并且 逐渐加速，直到稳定在一定的转速上（转速高低决定了胶的厚度， 厚度反比于转速的平方根）。

3）曝光前烘焙：当光刻胶被旋涂在硅片表面后，必须经过烘焙。烘焙 的目的在于将几乎所有的溶剂驱赶走。这种烘焙由于在曝光前进行 叫做“曝光前烘焙”，简称前烘，又叫软烘（soft bake）。前烘改善 光刻胶的黏附性，提高光刻胶的均匀性，以及在刻蚀过程中的线宽 均匀性控制。

4）对准和曝光：在投影式曝光方式中，掩膜版被移动到硅片上预先定 义的大致位臵，或者相对硅片已有图形的恰当位臵，然后由镜头将 其图形通过光刻转移到硅片上。对接近式或者接触式曝光，掩膜版 上的图形将由紫外光源直接曝光到硅片上。

5）曝光后烘焙：曝光完成后，光刻胶需要经过又一次烘焙。后烘的目 的在于通过加热的方式，使光化学反应得以充分完成。曝光过程中 产生的光敏感成分会在加热的作用下发生扩散，并且同光刻胶产生 化学反应，将原先几乎不溶解于显影液体的光刻胶材料改变成溶解 于显影液的材料，在光刻胶薄膜中形成溶解于和不溶解于显影液的 图形。由于这些图形同掩膜版上的图形一致，但是没有被显示出来， 又叫“潜像”（latent image）。

6）显影：由于光化学反应后的光刻胶呈酸性，显影液采用强碱溶液。 一般使用体积比为 2.38%的四甲基氢氧化铵水溶液。光刻胶薄膜经 过显影过程后，曝过光的区域被显影液洗去，掩膜版的图形便在硅 片上的光刻胶薄膜上以有无光刻胶的凹凸形状显示出来。

7）坚膜烘焙：在显影后，由于硅片接触到水分，光刻胶会吸收一些水 分，这对后续的工艺，如湿发刻蚀不利。于是需要通过坚膜烘焙 （hard bake）来将过多的水分驱逐出光刻胶。由于现在刻蚀大多 采用等离子体刻蚀，又称为“干刻”，坚膜烘焙在很多工艺当中已 被省去。

8）测量：在曝光完成后，需要对光刻所形成的关键尺寸以及套刻精度进行测量。关键尺寸的测量通常使用扫描电子显微镜，而套刻精度 的测量由光学显微镜和电荷耦合阵列成像探测器承担。

制程升级是确定发展方向，光刻设备和光刻胶是核心因素。随着高集 成度、超高速、超高频集成电路及元器件的开发，集成电路与元器件特 征尺寸呈现出越来越精细的趋势，加工尺寸达到百纳米直至纳米级，光 刻设备和光刻胶产品也为满足超微细电子线路图形的加工应用而推陈出 新。光刻胶的分辨率直接决定了特征尺寸的大小，通常而言，曝光波长 越短，分辨率越高，因此为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶 的曝光波长由紫外宽谱向ｇ线(436nm)→ｉ线(365nm)→KrF(248nm)→ ArF(193nm)→F2（157nm）的方向转移，并通过分辨率增强技术不断 提升光刻胶的分辨率水平。

2 全球百亿美金市场，显示+PCB+IC 三大应用推动发展

全球市场持续扩容，2023 年有望突破百亿美金。光刻胶作为制造关键 原材料，随着未来汽车、人工智能、国防等领域的快速发展，全球光刻 胶市场规模将有望持续增长。根据 Reportlinker 数据，全球光刻胶市场 预计 2019-2026 年复合年增长率有望达到 6.3%，至 2023 年突破 100 亿美金，到 2026 年超过 120 亿美元。

大陆市场增速高于全球，2022 年有望超过百亿人民币。叠加产业转移 因素，中国光刻胶市场的增长速度超过了全球平均水平。根据中商产业 研究院数据，2021 年中国光刻胶市场达 93.3 亿元，16-21 年 CAGR 为 11.9%，21 年同比增长 11.7%，高于同期全球光刻胶增速 5.75%。随 着未来 PCB、LCD 和半导体产业持续向中国转移，中国光刻胶市场有 望不断扩大，占全球光刻胶市场比例也将持续提升，预计到 2026 年占 比有望从 2019 年的 15%左右提升到 19.3%。

显示、PCB、IC 是三大应用领域，合计占比超 70%。根据应用领域的 不同，光刻胶可分为印刷电路板（PCB）用光刻胶、液晶显示（LCD） 用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。根据 Reportlinker 数据， 2019 年 PCB、半导体和平板显示光刻胶占比分别为 27.8%、21.9%、 23.0%，为前三大应用领域。

按显影过程中曝光区域的去除或保留分，分成正性光刻胶（正胶）和 负性光刻胶（负胶），正负胶各有优势，但正胶分辨率更高，是主流光 刻胶。1）正性光刻胶：正性光刻胶在紫外线等曝光源的照射下，将图 形转移至光胶涂层上，受光照射后感光部分将发生分解反应，可溶于显 影液，未感光部分不溶于显影液，仍然保留在衬底上，将与掩膜上相同 的图形复制到衬底上。正性光刻胶响应波长为 330～430 纳米，胶膜厚 为 1～3 微米，正性光刻胶的分辨率更高，无溶胀现象。因此，正性光 刻胶的应用比负性光刻胶更为普及。2）负性光刻胶：负性光刻胶在紫 外线等曝光源的照射下，将图形转移至光胶涂层上，在显影溶液的作用 下，负性光刻胶曝光部分产生交联反应而不溶于显影液；未曝光部分溶 于显影液，将与掩膜上相反的图形复制到衬底上。负性光刻胶响应波长 为 330～430 纳米，胶膜厚 0.3～1 微米，负性光刻胶的分辨率比正性 光刻胶低。

负胶占总体光刻胶比重较小，多用于特殊工艺。由于负胶耐热性强， 多应用于高压功率器件、高耗能器件等，此外也常用于一些特殊工艺， 因为负胶难以去除的特性，在芯片最后的封装阶段可以使用负胶，能起 到绝缘、保护芯片的作用。

总的来说，正胶有以下主要优点：①高分辨率，高对比度；②使用暗场 掩模减少了曝光图形的缺陷率，因为掩模大部分区域都是不透光的。③ 使用水溶性显影液；④去胶容易。因此，正胶普及率大于负胶。

2.1 半导体光刻胶：技术难度最高，增速最快

全球半导体光刻胶市场增速远高于全球光刻胶平均水平，占比不断提 升。据 SEMI 统计，2021 年全球半导体光刻胶市场规模达 24.71 亿美 元，较上年同期增长 19.49%，2015-2021 年 CAGR 为 12.03%。 2019 年全球半导体光刻胶市场规模分别为约为 18 亿美元，半导体光刻 胶占整体光刻胶比重约 21.9%，到 2021 年占比提升至 26.85% 。

大陆半导体光刻胶增速超全球两倍。分地区看，中国大陆半导体光刻胶 市场依旧保持着最快增速，2021 年市场规模达到 4.93 亿美元，较上年 同期增长 43.69%，超过全年半导体光刻胶增速的两倍；中国占比全球 半导体光刻胶市场比重也将从 2015 年约 10.4%提升到 2021 年接近20%。

中国半导体光刻胶的快速崛起离不开中国整体半导体产业的发展。受 益于 5G 大规模建设，以及 2020 年新冠疫情导致远程办公、网络直播等 应用普及，全球集成电路行业发展迅猛，根据 Frost&Sullivan 数据， 2013 年集成电路市场规模为 2518 亿美元，到 2019 年集成电路市场规 模高达 3334 亿美元，年复合增长率为 4.79%。2019 年全球集成电路市 场规模有所下滑，主要系全球贸易摩擦、存储供需变化以及智能手机、 服务器等产品需求下滑因素影响。预计到 2025 年，全球集成电路市场 规模将达到 4750 亿美元,2020-2025 年 CAGR 为 6.02%。

我国集成电路行业起步较晚，但发展迅速。根据中国半导体行业协会 数据，2013 年中国集成电路销售收入为 2508 亿元，2019 年达到 7562 亿元，年均复合增速达到 20.2%，在 5G 和新兴产业的发展带动下，如 汽车电子行业和物联网的推动下，中国集成电路行业市场规模将不断扩 大，预计到 2025 年，我国集成电路市场规模将达到 18932 亿元，2020- 2025 年 CAGR 为 16.22%。

按曝光波长分，全球 ArF/EUV 光刻胶占比超 50%，为国际主流。半导 体光刻胶按照曝光波长不同可分为 g 线（436nm）、i 线（365nm）、 KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新兴起的 EUV 光刻胶 5 大类，高 端光刻胶指 KrF、ArF 和 EUV 光刻胶，等级越往上其极限分辨率越高， 同一面积的硅晶圆布线密度越大，性能越好。根据 TECHCET 数据， 从市场分布看，2021 年 ArFi+ArF 光刻胶占全球光刻胶市场规模的比例 为 48.1%，KrF 占比 34.7%，G/I 线占 14.7%。ArF（包括 ArFi）光刻 胶已是集成电路制造需求金额最大的光刻胶产品，随着集成电路产业超 先进制程持续发展，ArF 光刻胶持续迎来广阔市场机遇。

随着全球半导体产业的发展，制造工艺技术节点的不断缩小，KrF 和 ArF 光刻胶市场需求量更大，增速更快，是推动当下光刻胶市场快速 增长的主要因素。从市场规模增速来看，EUV 光刻胶发展最快，但处 于发展初期体量较小，2021 年仅约 0.51 亿美元，预计到 2025 年达到 1.97 亿美元，2020-2025CAGR 达 48.8%；增速第二快的是 KrF 光刻 胶，其 2021 年全球市场规模为 6.9 亿美元，预计到 2025 年达到 9.07 亿美元，2020-2025 年 CAGR 为 8.2%。ArF 光刻胶（ArF+ArFi） 2021 年全球市场规模为 9.55 亿美元，预计到 2025 达到 10.72 亿美元， 2020-2025 CAGR 为 3.5%；较为低端的 g/i 线光刻胶预计市场规模变 化不大，占比缩小。

从应用产品看，2021 年逻辑占比超 63.5%，是第一大应用领域。非易 失性存储器（NVM）是一种计算机即使关闭电源也能够保存已保存数据 的存储器，增速最快。根据 TECHCET 数据，2021 年逻辑用光刻胶需求 超过 595 万升，占比超过 63.5%，到 2025 年需求量提升到约 677 万升， 2021-2025 年 CAGR 为 3.3%，由于 NVM 对光刻胶需求的快速提升（2021- 2025CAGR 12.8%），预计 2025 年逻辑占比略降低到 59.5%，NVM 占比提 升到 26.4%。对非易失性存储器（NVM）的需求是主要由于移动设备所 需要的存储容量大幅提升，尤其是相机、智能手机和平板电脑。

随着制程缩减和存储容量提升，光刻次数增加，单位面积光刻胶的金 额越高。根据 SEMI 的数据，单位面积所使用的的光刻胶价值量从 15 年 3 月不到 0.12 美元/平方英寸上升到 2021 年 9 月约 0.19 美元/平方 英寸，平均价值量的提升主要来源于先进制程占比的提升以及光刻次数 的增加。

逻辑：制程提升+扩产是两大推动力

制程越先进，需要进行光刻的次数就越多，光刻胶用量相应提升。为 了突破线宽极限而达到所需的更窄线宽，高端制程的关键层次需要双重 曝光甚至多重曝光来实现，随着曝光次数的增加，光刻次数在增加， 28nm 仅需要 6 次光刻，而 7nm 浸没式光刻需要 34 次，对应的光刻胶 的需求量也在快速提升，虽然 EUV 光刻技术能有效地减小线宽并且降 低光刻次数，7nm 制程使用 EUV 技术仅需要 9 次光刻，但其所用的光 源、光刻胶及掩膜版等与先前的光刻技术有较大差异，因此目前的商业 化程度不高。

全球普遍扩产，产能增加带来光刻胶需求增加。在经历 2019 年半导体 周期低谷后，得益于下游需求旺盛，全球主要晶圆厂均加大了扩产力度， 从资本开支的数据来看，各大晶圆厂于 2020 年、2021 年开始加大资本 开支投入，22 年资本开支指引的强度均强于 2021 年，2018-2022 年合 计的资本开支 YoY 分别为-23%/8%/21%/25%/30%，开支强度逐年递增， 标志了扩产力度的加强，随着晶圆厂产能的提高，光刻胶的用量也将随 之大幅提升。

存储：容量提升+扩产是两大推动力

容量要求提升，光刻次数增加，相应光刻胶的用量随着光刻次数的增 加大幅增长。

DRAM： DRAM 的技术发展路径是以微缩制程来提高存储密度。制程 工艺进入 20nm 之后，制造难度大幅提升，DRAM 芯片厂商对工艺的 定义从具体的线宽转变为在具体制程范围内提升二或三代技术来提高存 储密度。目前市场上 DRAM 的应用较为广泛的是 2xnm 和 1xnm，三星、 美光、海力士等龙头厂商均已开发出 1znm 制程的 DRAM。

NAND：NAND 芯片制程已经达到极限，2D NAND 的存储容量难以继 续突破，NAND 工艺逐渐转向 3D 堆叠架构，以更多的堆叠层数来得到 更大的存储容量，光刻次数随着层数增加而增加，KrF 光刻胶的使用量 将显著提升。

长鑫、长存扩产，本土光刻胶加速导入。受益于居家办公及娱乐需求， 终端电子产品与云端服务器出货大增，带动相关存储需求成长，全球存储大厂积极扩产，长鑫、长存也紧抓历史机遇快速扩充能产能，根据 DRAMe Xchange 数据，随着长鑫长存的扩产，我国 DRAM 的市场份额有 望分别从 21 年 4%提升到 22 年 8%，NAND 市场份额也有望有一定提升。 全球 DRAM 产能预计到 22 年达到 160 万片/月，相比 21 年提升 6.4%， 全球 NAND 产能预计到 22 年达到 177.4 万片/月，相比 21 年提升 5%。 随着全球存储产能的扩容以及中国大陆份额的提升，一方面光刻胶整体 需求将提升，另一方面也有利于本土光刻胶导入，加速国产替代进程。（报告来源：未来智库）

2.2 LCD 光刻胶：市场稳健增长，大陆增速远高于全球

面板光刻胶主要分为彩色光刻胶、黑色光刻胶、触摸屏用光刻胶和 TFT-LCD 正性光刻胶。彩色光刻胶、黑色光刻胶主要用于制备彩色滤 光片;触摸屏用光刻胶主要用于在玻璃基板上沉积 ITO 制作触摸电 极;TFT-LCD 正性光刻胶主要用于微细图形加工。

彩色滤光片是液晶显示器实现彩色显示的关键器件，因此在面板光刻胶 中占比最大。根据富士经济数据，2018 年全球彩色光刻胶市场规模占 面板光刻胶比重超过 60%，TFT 光刻胶、黑色光刻胶分别占比 23%与 14%。

光刻胶约占 LCD 面板制造成本的 10%，直接受益于 LCD 市场的扩大。 根据 TrendBank 数据，彩色滤光片占面板成本的 21%。彩色光刻胶和 黑色光刻胶是制备彩色滤光片的核心材料，在彩色滤光片材料成本中， 彩色光刻胶和黑色光刻胶在整体成本中占比约 46%，因此可以测算光 刻胶在 LCD 面板中的成本占比大约为 9.66%，光刻胶的市场直接受益 LCD 市场的扩大。

全球 LCD 光刻胶市场规模超 13 亿美金，2021-2026 年 CAGR 为 2%。 根据 QY research，全球 LCD 光刻胶市场稳步上升，2020 年达到 13.98 亿美元，预计 26 年达到 15.75 亿美元。2020-2026 年 CAGR 为 2%。未来有望受益于 LCD 电视的大尺寸化、高清化趋势，LCD 面板 出货面积不断提升，充分传导至面板光刻胶需求。根据智研咨询数据， 预计 2019-2023 年我国 LCD 光刻胶市场规模将会从 40 亿元提升到 69 亿元，4 年 CAGR 14.6%，预计国内市场占比也将从 19 年 47.9% 提升到 23 年 74.6%。

全球 LCD TV 面板出货尺寸持续增长。根据群智咨询数据，2021 年 32"和 43"出货占比明显收窄，65"及 75"出货占比分别增加 2.8%及 1.2%，带动 2021 年平均尺寸增加 2.0 英寸。面板产品尺寸出现结构性 分化，一方面，疫情影响新兴国家消费者购买力弱，对中小尺寸电视需 求产生明显的冲击，而发达经济体消费者购买力维持相对强劲，拉动大 尺寸需求持续走强。另一方面，受整机成本快速上涨的驱动，品牌为了 减亏加速产品结构升级，减少小尺寸并且增加大尺寸产品的比重。受需 求端尺寸结构牵引，面板厂亦积极推动产品结构优化，不断增加大尺寸 的产能占比，控制小尺寸的产出。

根据中商产业研究院数据，2014 年全球 TFT-LCD 显示面板的出货面 积为 1.66 亿平方米，2019 年增至 2.23 亿平方米，年均复合增长率约 6.07%。而随着 5G 技术的逐步成熟及应用，TFT-LCD 面板的大尺寸化 趋势能更好的顺应高清化应用的要求，从而带动 TFT-LCD 面板需求的 不断增长。2019 年至 2023 年，TFT-LCD 面板的出货面积预计将从 2.23 亿平方米增至 2.49 亿平方米，增幅 12.20%。

产业持续转移，为国内 LCD 光刻胶提供巨大市场。随着日本、韩国、 中国台湾等国家和地区新建 LCD 产线速度减慢甚至关停现有产线，以 及中国大陆厂商的异军突起，中国大陆面板产线建设活跃，为全球新型 显示设备和原材料提供了主要市场。

四大国产厂商已占据 LCD 面板行业一半以上出货面积。根据群智咨询 数据，21H1 京东方，TCL 华星、惠科、彩虹光电四大国产面板厂商出 货面积分别达到 20.5、14.9、8.5、5 百万平方米，在全球十大面板厂 商出货面积占比达到 58.1%，预计随着产业转移持续以及在建产能释 放，到 23 年国内厂商出货面积合计占比将到达约 67%。

2.3 PCB 光刻胶：产业转移是主要推动力

光刻胶用于 PCB 加工制造中的图形转移。PCB 的加工制造过程涉及图 形转移，即把设计完成的电路图像转移到衬底板上，因而在此过程中会 使用到光刻胶。基本过程如下：首先在衬底表面形成一层光刻胶薄膜， 然后使紫外光通过掩膜板照射到光刻胶薄膜上，曝光区域发生一系列的 化学反应，再通过显影的作用将曝光区域（正性）或未曝光区域（负性） 溶解并去除，最后经过固化、蚀刻、退膜等一系列过程将图形转移至衬 底。

PCB 光刻胶具体包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶(又称抗蚀剂/线路油墨) 和光成像阻焊油墨，是 PCB 产业重要的上游材料，在 PCB 成本结构中 光刻胶和油墨的占比约为 3%。

随着 PCB 产业转移至我国，我国 PCB 光刻胶行业也随之发展。1990 年以前，全球 PCB 市场由欧美日主导，此时，我国 PCB 光刻胶产品也 依赖进口。自 20 世纪 90 年代中期开始，PCB 产业开始转移，2002 年 开始，外资 PCB 光刻胶企业陆续在华建厂。至 2017 年，我国 PCB 产 值占全球份额达 50.8%，PCB 光刻胶产值占全球份额也超 70%，到 2019 年的市场份额达到 93.35%，主要集中在中低端产品市场。

全球 PCB 产值稳定提升，PCB 光刻胶受益。受 2020 年疫情影响，全 球经济整体萎缩，而 PCB 市场强势反弹并实现了 6.4%的增速，主要得 益于数据中心、云服务器等需求增长带动的封装载板领域、HDI 以及高 多层板等的爆发。根据 Prismark2020 年 Q4 报告，从中长期看，PCB 产业也将保持稳定增长的态势，预计 2020 年至 2025 年全球 PCB 产值 的年复合增长率约为 5.8%。

从区域看，根据 Prismark 预测，未来全球各区域的 PCB 产业都将呈现 较快发展状态。其中，2020 年中国地区预测同比增长 6.4%，2020 年 至 2025 年中国地区复合增长速度预测将达到 5.6%。日本、亚洲（主 要是我国台湾地区和韩国）是全球封装基板主要供应地，未来 5 年将呈 现较高的增长速度。

3 美日寡头垄断，国产化需求迫切

3.1 四大壁垒铸就高集中度，全球市场美日寡头垄断

光刻胶生产工艺复杂，四大壁垒铸就行业高门槛。

第一大壁垒：技术壁垒，生产工艺要求极高，配方是根本

作为光刻工艺的核心，光刻胶需满足四大条件。选择光刻胶的决定因 素是晶圆表面对尺寸的要求。光刻胶必须要同时满足四大条件：1）产 生要求的尺寸。2）在刻蚀过程中具有阻挡刻蚀的功能，保持特定厚度 的光刻胶层中一定不能存在针孔。3）必须和晶圆（或其他衬底）表面 能很好的粘合，否则刻蚀后的图形可能发生扭曲。4）工艺维度和阶梯 覆盖能力。

多参数指标要求，分辨率直接决定产品特征尺寸。光刻胶的主要性能 指标包括：分辨率、黏附性、对比度、敏感度、抗蚀性、表面张力、曝 光速度、针孔密度、阶梯覆盖度等。1）分辨率：在光刻胶层所能产生 的最小图形或其间距。一般而言，越小的线宽需要越薄的光刻胶膜，但 为阻挡刻蚀且不能出现针孔，光刻胶膜必须有一定的厚度，因此只能权 衡选择。2）黏结能力：光刻胶必须和衬底表面很好黏结，才能准确讲 图形转移到衬底表面，否则可能导致图形畸变。在制造过程中，不同的 表面，光刻胶的黏结能力不同。因此在光刻胶工艺中，多个步骤是为了 增加光刻胶对晶圆表面的自然黏结能力。3）曝光速度：反应速度越快， 光刻和刻蚀区域的加工速度越快。一般而言，负胶需要 5-15 秒曝光时 间，而正胶需要 3-4 倍时间。4）针孔：光刻胶层尺寸非常小的空穴。 针孔的存在会允许刻蚀剂渗透过光刻胶层接触衬底表面，从而在衬底表 面刻蚀出小孔造成损害。光刻胶越薄，针孔越多，光刻胶越厚，针孔越 少，但厚胶降低了光刻胶分辨率，因此光刻胶膜厚是多个因素的权衡。

光刻胶工艺一旦确立，一般不再变更。准备、烘焙、曝光、刻蚀和去 除工艺会根据特定的光刻胶性质和想达到的预期结果进行微调。光刻胶 的选择和光刻胶工艺的研发是一项漫长而复杂的过程，一旦一种光刻工 艺被建立，一般不再改变。

从专利数看，日本美国合计占比超 70%，大陆发展迅速。根据智慧芽 数据，截至 2021 年 9 月，全球光刻胶第一大技术来源国为日本，专利 申请量占全球光刻胶专利总申请量的 46%；美国则以 25%的申请量位 列第二。中国则以 7%的申请量排在韩国之后。从趋势上看，中国的光 刻胶相关专利申请量正在快速增长，在 2020 年实现了对日本的反超。 2020 年，中国光刻胶专利申请量为 1.29 万项，日本光刻胶专利申请量 下降至 8982 项。

光刻胶种类多样，不同类别化学结构、性能有所区别。光刻胶下游不 同客户的需求差异明显，即使同一客户的不同应用需求也不一致。这就 导致光刻胶的整体生产缺乏统一的工艺，每一类光刻胶使用的原料在化 学结构、性能上均有所区别，要求使用不同品质等级的专用化学品。这 就迫使制造商需要有能力设计出符合不同需求设计不同配方，并有相应 的生产工艺完成生产。这属于行业的核心技术之一，对企业的技术能力 要求比较高。

第二大壁垒：客户认证壁垒，上下游深度绑定，验证周期长

在光刻胶供货前，一般会经过光刻胶产品的验证及工厂（产线）资质的 验证，其中光刻胶验证根据验证阶段分为 PRS（光刻胶性能测试）、 STR（小试）、MSTR（批量验证）及 Release（通过验证）；工厂（产 线）资质验证方面，主要在质量体系、供货稳定性、工厂（产线）产能 等几方面进行验证。在工厂（产线）资质验证通过以及产品验证通过后， 可实现对客户的正式供货。由于验证周期通常为 6－24 个月，下游晶 圆厂切换光刻胶成本较高，通常客户切换光刻胶意愿不强，光刻胶企业 较难进行客户的突破。

第三大壁垒：设备壁垒，光刻机昂贵且购买难度大。

送样前，光刻胶生产商需要购臵光刻机用于内部配方测试，根据验证结 果调整配方。光刻机设备昂贵，数量有限且供应可能受国外限制，尤其 是 EUV 光刻机目前全球只有 ASML 能批量供应。

光刻机购买交货周期较长，根据日经亚洲评论报导，由于需求早已超过 负荷，目前芯片生产设备的交货时间已经从 12 个月延长至约 18 个月。

光刻机产量较少而价格昂贵，近年增量主要集中在在 EUV、ArFi 和 KrF 光刻机。根据 ASML 2021 年财报，2021 年公司共销售 287 台光 刻系统，销售额约 136.5 亿欧元，其中 42 台为 EUV 光刻系统机，销 售额约 62.8 亿欧元，平均一台 1.5 亿欧元; ArFi 光刻系统 81 台，销售 额约 49.6 亿欧元，平均单价约 6100 万欧元; ArF dry 光刻系统销售 22 台，销售额约 4.3 亿欧元，平均单价约 2000 万欧元；KrF 光刻系统 131 台，销售额约 13.2 亿欧元，平均单价约 1000 万欧元; i-Line 光刻 系统 33 台，销售额约 1.4 亿欧元，平均单价约 400 万欧元。

第四大壁垒：原材料壁垒，国内产业链尚不完善，树脂、单体产业化 困难重重。

上游原材料是影响光刻胶品质的重要因素，目前我国光刻胶原材料市场 基本被国外厂商垄断，尤其是树脂和感光剂高度依赖于进口，国产化率 很低，由此增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险。

行业高度集中，日本三巨头+美国杜邦垄断市场。全球光刻胶市场基本 被日本和美国企业所垄断，2020 年数据显示，东京应化排名第一，份 额为 26%，杜邦排名第二，份额为 17%，加上 JSR 和住友化学， CR4 接近 70%，行业集中度较高。

从半导体光刻胶细分产品看，各大巨头更侧重中高端光刻胶。目前东 京应化综合实力位列第一，除了在 ArF 光刻胶领域以 16%的市占率位 于 JSR（25%）、信越化学（22%）、住友化学（17%）之后，在其他 三个领域的份额均位列第一，其中在 EUV 光刻胶领域独占鳌头，一家 占据一半以上的份额。

PCB 光刻胶：低端产品由国内主导。在 PCB 光刻胶市场中，中国在中 低端产品占据主导地位，2020 年容大感光、广信材料、东方材料、北 京力拓达等本土企业占据国内 46%左右的湿膜光刻胶和光成像阻焊油 墨市场份额。但是较高端的干膜光刻胶市场主要由日本旭化成、日本日 立化成、中国台湾长兴化学垄断，这三大企业在全球的市场占有率超过 80%，我国在干膜光刻胶方面仍高度依赖进口。

LCD 光刻胶的全球供应集中在日本、韩国、中国台湾等地区，我国彩 色和黑色光刻胶市场国产化率仅为 5%左右。彩色滤光片所需的高分子 颜料和颜料的分散技术主要集中在 Ciba 等日本颜料厂商手中，因此彩 色光刻胶和黑色光刻胶的核心技术基本被日本和韩国企业垄断。另一方 面，近年来我国在触控屏光刻胶技术上有所突破，晶瑞股份和北京科华 微已经实现了触控屏光刻胶的量产，国产化率在 30%-40%左右。

3.2 上游原材料树脂、单体难度较高，大陆产业化等待突围

溶剂、感光剂、树脂是光刻胶的三大原材料。光刻胶会根据不同光的 波长和不同的曝光源而进行微调。光刻胶具有特定热流程特点，用特定 的方法配臵而成，与特定的表面结合。这些属性由光刻胶里不同化学成 分的类型、数量、混合过程决定，溶剂、感光剂和树脂是光刻胶三大原 材料。

从含量来看，根据 Trendbank 数据，光刻胶主要原材料占比从大到小 分别是溶剂（50%-90%）、树脂（10%-40%）、光引发剂（1%-6%）以 及添加剂（<1%）。溶剂是光刻胶中容量最大的成分，使光刻胶处于液 态，并使光刻胶能通过旋转涂在晶圆表面形成薄层。感光剂在曝光过程 中控制或调节光刻胶的化学反应，用于产生或控制聚合物特定反应。感 光剂添加到光刻胶中用来限制反应光的波谱范围或把反应光限制到某一 特定波长的光。聚合物用于当光刻机曝光时，聚合物结构由可溶变成聚 会（或反之），是由一组大且重的分子组成，分子里包括碳、氢、氧， 典型聚合物如塑料。此外，光刻胶中还含有添加剂。不同类型的添加剂 和光刻胶混合在一起来达到某种特定的结果。部分负胶包含染色剂，功 能是在光刻胶薄膜中用来吸收和控制光线。正胶可能含有化学的抗溶解 系统，这样的添加剂可以阻止光刻胶没有被曝光的部分在显影过程中被 溶解。

从成本来看，高端光刻胶中树脂占成本比重较大。根据南大光电公告， ArF 光刻胶树脂以丙二醇甲醚醋酸酯为主，质量占比仅 5%-10%，但成 本占光刻胶原材料总成本的 97%以上。

1）树脂：海外垄断市场，大陆企业取得技术突破

各类光刻胶所需树脂几乎全部由海外垄断。G 线光刻胶用环化橡胶树 脂；I 线光刻胶使用线性酚醛树脂，主要是依赖进口，国产化水平很低。 针对国内光刻胶“卡脖子”的 KrF 和 ArF 光刻胶，KrF 用聚对羟基苯乙 烯类树脂，基本依赖进口，一是因为生产树脂需要的单体国内很少厂家 供应，二是因为树脂的生产工艺也有一定的难度，特别是后处理的工艺。 ArF 用聚甲基丙烯酸酯类树脂，单体为甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯的衍生 物单体，ArF 的树脂由几种单体共聚而成，定制化程度比较高，高端的 Arf 树脂几乎无法买到。EUV 用聚对羟基苯乙烯类树脂，或分子玻璃、 金属氧化物，国内几乎空白。

全球两大类光刻胶树脂大厂。目前，全球范围内光刻胶树脂大厂分为两 类：一类是自产树脂的光刻胶厂商，如信越化学、杜邦，它们通常掌握 着树脂合成、光刻胶配方的技术专利。另一类是专门生产树脂的生产商， 如东洋合成、住友电木、三菱化学等，为光刻胶厂商提供定制化的树脂。

技术壁垒高依然是海外垄断的根本原因。树脂的结构设计涉及单体的 种类和比例，会决定光刻胶在特定波长下可以达到的线宽（CD）、曝光 能量（EOP）、EL（能量窗口），LWR (线宽边缘粗糙度）等参数。此 外，树脂的分子量、PDI（分散度）等也会影响光刻胶的胶膜厚度、耐 刻蚀性、附着力等。树脂可以通过多种方式合成：光刻胶树脂可以通过 酚醛缩合反应，阳离子聚合，阴离子聚合，活性自由基聚合等高分子合 成方法进行合成。其上游的原材料主要是单体，单体在高分子合成的过 程中聚合成树脂。

光刻胶树脂的主要难点：1）要做到质量一致，即分子量和分子量分布 每批都要很接近； 2）越高级树脂的分子量分布越小越好；3）金属离 子要求，大部分要求小于 1ppb, 甚至要到 ppt 级。

产业化五大难点：1） 合成技术：树脂的合成技术可分为自由基聚合， 阴离子聚合和活性自由基聚合等，目前最常用的是自由基聚合，活性自 由基聚合还未实现工业化。2）放大的稳定性和金属离子的去除：放大 是指树脂从实验室研发进化到工业化的批量生产，放大的稳定性主要是 指每次生产的分子量和 PDI 要保持一致，在生产管理控制上和质量控 制上需要严格把关。3）供应稳定：单体的供应要稳定，单体的质量也 要稳定。对下游客户来说，树脂也必须要做到稳定供应，包括质量稳定 和交货周期的稳定性。4）客户的认证和采购：客户的认证和采购是一 个长期的过程，光刻胶厂商将某个供应商的树脂配成光刻胶以后，要送 样到下游的晶圆厂去试验，才能测试出树脂的光刻性能是否良好，并决 定是否可以采用这个供应商的树脂。此外，光刻胶厂商的更换树脂供应商时也要通知下游晶圆厂。5）规模效应：光刻胶树脂一般是定制化产 品，如果没有商业化的树脂或其他产品做支撑，单纯做某一种或某一类 光刻胶树脂，将会使公司丧失研发或生产光刻胶树脂的动力，特别是单 体需要购买的情况下，高成本会大大影响树脂的效益。

2）单体：日本和美国企业占大头份

不同光刻胶类型都有相应的光刻胶单体。传统 I 线单体主要是甲基酚和 甲醛，是大宗化学品；KrF 单体主要是苯乙烯类单体，性状是液体； ArF 单体主要是甲基丙烯酸酯类单体，性状有固体也有液体。光刻胶单 体的性能指标包括纯度，水份，酸值，单杂，金属离子含量等指标。

半导体级光刻胶单体相比普通单体壁垒更高。1）半导体级光刻胶单体 的合成技术难度更大。2）半导体级光刻胶单体要求质量更稳定，金属 离子杂质更少。例如，半导体级单体纯度要求达到 99.5%，金属离子 含量小于 1ppb（即 10 亿分之一）；而面板级别的单体结构是环氧乙烷 类，纯度要求或仅 99.0%，金属离子含量最少小于 100ppb 即可。3） 半导体级光刻胶单体的价格远高于一般类单体。 I 线单体约为 100-200 元/公斤，KrF 单体约为 500-1000 元/公斤，ArF 干法和湿法的单体价格 在 3000-10000 元/公斤不等。

产业化有六大难点：1）合成和纯化时需要防止单体聚合；2）光刻胶 单体种类繁多，针对不同的单体必须研究不同的合成方法，难易不一。 3）高纯度要求：高纯度要从不同指标上来定义，如从气相（GC）、液 相（HPLC）、凝胶色谱（GPC）等不同的来考察，有时纯度要达到 99.9%以上。4）金属离子控制：半导体级单体中尤其是 ArF 单体中的 金属离子含量要达到 1ppb 以下。5）工艺放大：实验室中生产的达标 单体并不能满足客户需求，还需要通过稳定的规模化量产来实现工业级 供应。6）光刻胶单体企业进入下游客户的供应商体系需要一个长期的 认证过程，且一般不会轻易更换。

3）溶剂：目前光刻胶溶剂主要为 PGMEA（丙二醇甲醚酸醋酯，简称 PMA），大陆自给率较高。根据新思界产业研究中心数据，我国是全球 最大的 PGMEA 生产国家，产能占据全球总产量的 35%左右，生产企 业有百川股份、瑞佳化学、怡达化学、华伦、德纳国际等。在全球市场 中，PGMEA 生产企业有陶氏化学、壳牌化学品公司、利安德巴塞尔工 业、伊士曼化工等，以上四家企业占据全球市场一半以上份额。

根据容大感光公告，溶剂平均采购价格 20H1 为 8.22 元/kg，相比 18、 19 年有所降低。（报告来源：未来智库）

4） 光引发剂：集中趋势日益明显，历史采购价呈下滑趋势

光引发剂是光固化材料（主要包括 UV 涂料、UV 油墨、UV 胶粘剂等） 的核心原材料。光固化材料是传统溶剂型涂料、油墨、胶粘剂的重要替 代产品。2020 年，全球光引发剂市场销售额达到了 6.8 亿美元，预计 2027 年将达到约 11 亿美元，2020-2027 年 CAGR 为 4.57%。

光引发剂领域主要的企业有 IGM Resins，天津久日新材料，常州强力 和阿科玛；其中，IGM Resins 是全球市场的领导者，收入在 2020 年 占据全球 27%的市场份额。天津久日新材料是国内市场的领导者，收 入在 2020 年占据中国 28%的市场份额。UV 涂料制造业是对光引发剂 需求最大的产业，该产业要求光引发剂供应商能够提供质量可靠、性价 比高的产品并能够持续稳定供货。由于下游客户要求较高，行业的集中 度日益增长。从光引发剂的采购价格来看，以容大感光披露的数据来看， 2018-2020H1，随着上游供应商的竞争结构逐渐稳定，光引发剂采购价 格总体下降，2020 上半年的采购均价为 131.46 元/千克 ，历史上光引 发剂采购均价趋降。

3.3 日系龙头实力雄厚，国内厂商有望复刻成功经验

光刻胶产业最早由欧美主导，日本厂商后来居上。1839 年，第一套 “光刻系统”重铬酸盐明胶诞生。此后经过百年发展，光刻胶技术开始 成熟，1950s，德国 Kalle 公司制成重氮萘醌-酚醛树脂印刷材料，曝光 光源可采用 g 线、i 线。1980s，IBM 使用自研的 KrF 光刻胶突破了 KrF 光刻技术。随后，东京应化于 1995 年研发出 KrF 正性光刻胶并实 现大规模商业化，因此迅速占据市场，这标志着光刻胶正式进入日本厂 商的霸主时代。

JSR：合成树脂起家的光刻胶龙头。公司靠乳胶业务起家，由于合成树 脂也是光刻胶的主要材料之一，JSR 在 80 年代初开始借由树脂技术切 入光刻胶领域。在其后至今的 40 年里，JSR 光刻胶业务随着半导体制 程技术一同进步成长，目前公司半导体光刻胶已全面覆盖 g 线到 EUV 光刻胶。

从浸没式 ArF 光刻胶到 EUV 极紫外光刻胶，在每一次光刻胶的技术变 革中，JSR 都扮演了行业先锋的角色。JSR 主要分为两个事业部，石 油化工事业部和精细化工事业部，其中精细化工事业部包括半导体材料、 显示材料和边缘计算材料三个领域；JSR 导体材料领域产品包括光刻 胶、CMP 材料、封装测试材料等，显示材料包括 LCD 平板材料，反射 膜材料和其它功能涂覆材料。

TOK：EUV 光刻胶独占鳌头。是历史悠久的日本化学材料企业。公司 成立 1940 年，在 1968 年，1972 年先后开发出半导体用正型胶和负型 胶后，一直以成为光刻胶龙头供应商为目标，走在半导体微加工技术的 前列。早在 2006 年，东京应化(TOK)就率先投资开始研发 ArF 浸没光 刻胶所需技术，并在世界光刻胶市场上保持了领先地位。

东京应化拥有半导体光刻胶完整布局，2020 年，从 g/i 光刻胶到 EUV 光刻胶，东京应化分别拥有 25.2%、31.4%、15.8%、51.8%的市占率， 除了 ArF 光刻胶位列第四以外其他均为第一，成为当之无愧的全球光 刻胶龙头企业。

技术水平与生产品质业界领先，在国内拥有完整客户布局：东京应化 更专注于光刻胶材料及其辅助材料在各个不同场景下的应用。其光刻胶 产品不论是在技术水平还是生产品质都处于业界领先的地位。东京应化 客户横跨半导体业界，液晶等行业。在中国，东京应化已有超过 10 年 的运营历史，诸如台积电，中芯，华宏 NEC，宏力，和舰等代表性的 厂家都是东京应化在地区内的客户。

信越化学：综合性半导体材料龙头。信越化学成立于 1926 年，最初以 氮肥料为主营业务，战后在日本政府的支持下开始向半导体材料领域扩 展。经半个多世纪的发展,信越化学自行研制的聚氯乙烯、有机硅、纤 维素衍生物等原材料已成功在美国、日本、荷兰、韩国、新加坡、中国 等国家和地区建立了全球范围的生产和销售网络。

在半导体材料领域，信越化学以有机硅材料为基础，逐渐攻克高纯氢氟 酸，高纯单晶硅，稀土磁体，光刻胶，LED 封装，功率半导体材料等 产品的技术难关。

4 国产化率极低叠加海外断供，大陆产业链崛起迫切

大陆光刻胶国产化率极低。半导体用光刻胶被日本企业垄断，国产化率 仅 10%，目前我国仅实现 g 线、i 线、KrF 光刻胶量产，ArF 光刻胶大 都处于研发或送样阶段，EUV 光刻胶尚处于早期研发阶段。平板显示 用光刻胶，主要产地为日本、韩国和中国台湾，其中彩色光刻胶、黑色 光刻胶国产化率仅为 5%，雅克科技收购 LG 化学该板块业务后成为国 内最大供应商。TFT 光刻胶，中国大陆大部分产能仍为进口。PCB 光 刻胶，湿膜及阻焊油墨已经基本是实现自给，国产化率达 46%，而干 膜光刻胶仍需大量进口，主要供应地区在日本和中国台湾。

大陆企业在上游原材料均有布局。从 A 股上市公司在光刻胶原材料的 布局情况来看，溶剂方面有百川股份、怡达股份等，单体有华懋科技 （投资徐州博康）、联瑞新材等，树脂有彤程新材、圣泉集团、强力新 材等，光引发剂有强力新材等。

中游制造国产布局完善，g/i 线已深耕多年，持续向中高端 KrF、ArF 光刻胶发力。目前国产光刻胶在中游制造方面已经取得了里程碑式的突 破，涌现出一批优秀企业，在半导体光刻胶方面，有彤程新材（KrF 光 刻胶批量供应中芯、长存等多家下游客户，G 线光刻胶的市场占有率达 到 60%），晶瑞电材（g/i 线批量供应多年，KrF 已通过测试）上海新阳 （KrF 形成销售，ArF 研发进展顺利）华懋科技（投资徐州博康，拥有 光刻胶全产业链能力），2022 年国产半导体光刻胶有望开花结果实现放 量。

4.2 彤程新材：旗下科华&北旭光刻胶双龙头，KrF 光刻胶已实现放量

公司是全球领先的新材料综合服务商，外延并购北京科华、北旭电子发 力高端光刻胶，已实现从电子酚醛树脂到成品光刻胶的完整布局。公司 公告显示，北京科华是唯一被 SEMI 列入全球光刻胶八强的中国光刻胶 公司，批量供应 KrF 光刻胶；北旭电子是国内面板光刻胶领先企业， TFT 正性光刻胶在京东方占有 45%以上的份额。

公司传统业务营收增长稳定，未来将通过电子材料业务给公司成长注 入新动力。公司是中国最大的橡胶酚醛树脂生产商，在行业内市占率较 高，近年来营收发展稳定。2021 年公司实现营业收入 23.08 亿元， 2016-2021 CAGR 为 5.9%；实现归母净利润 2.01 亿元，同比-20.44%， 归母净利润下滑主要系原材料及运费价格受疫情影响上涨所致。公司未 来将重点发展电子材料业务，主要涵盖半导体光刻胶及配套试剂、显示 面板光刻胶和电子酚醛树脂等产品。

公司光刻胶业务进展顺利： 2021 年公司半导体光刻胶业务实现营业收 入 1.15 亿元元，同比增长 28.80%；公司半导体用 G/I 线光刻胶产品较 上年同期增长 50.22%；KrF 光刻胶产品较上年同期增长 265.80%。报 告期内，公司 G 线光刻胶的市场占有率达到 60%；I 线光刻胶和 KrF 光刻胶批量供应于中芯国际、华虹宏力、长江存储、华力微电子、武汉 新芯、华润上华等 13 家 12 寸客户和 17 家 8 寸客户。子公司北京科华 的 I 线光刻胶已接近国际先进水平，其种类涵盖国内 14nm 以上大部分 工艺需求；KrF 产品在 Poly、AA、Metal 等关键层工艺完成了重大突破， 获得客户批量使用；同时 TM/TV、Thick、Implant、ContactHole 等工 艺市占率持续提升。

公司抓住国内 KrF 系列光刻胶供应短缺机会，在 G-I 线和 KrF 光刻胶的 开发上持续发力。从产品上来看，公司 21 年新增 21 支新产品通过客 户验证并获得订单，新产品销售额在半导体光刻胶总收入中的占比达到 25.96%创历史新高。产品序列方面，21 支新品包括 248nm 光刻胶 10 支，I 线光刻胶 9 支，LED 及先进封装用光刻胶 2 支，如国内首款 248nm 负性光刻胶 DKN 系列产品，高分辨 I 线光刻胶 C7600 系列产品 及厚膜 ICA 光刻胶 C9120 系列产品；用户产线水平方面，公司 12 寸 客户增至 13 家，增长 160%，8 寸客户增至 17 家，增长 70%，8-12 寸用户销售收入持续提高。

4.3 晶瑞电材：国内光刻胶先驱，约三十年经验积累

晶瑞股份专业从事微电子化学品的产品研发、生产和销售。其四大类微 电子化学品（超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料和锂电池粘结剂）均 为下游五大新兴行业（半导体、光伏太阳能电池、LED、平板显示和锂 电池）的关键材料。经过多年研发和积累，晶瑞股份部分超净高纯试剂 达到国际最高纯度等级（G5），打破了国外技术垄断，制定了多项行业 标准；子公司苏州瑞红在国内率先实现目前集成电路芯片制造领域大量 使用的核心光刻胶的量产，在业内建立了较高技术声誉。

公司近年来收入、归母净利润持续高增。2021 年公司实现营业收入 18.32 亿元，同比+79.21%，2016-2021 营收 CAGR 为 25.9%；实现 归母净利润 2.01 亿元，同比+161.2%，2016-2021 归母净利润 CAGR 为 37.6%。

公司光刻胶产品覆盖度广，立足 g/i 线光刻胶发展高端 KrF、ArF 光刻 胶。子公司苏州瑞红拥有负型光刻胶系列、宽谱正胶系列、g 线系列、 i 线光刻胶系列、KrF 光刻胶系列等数十个型号产品。i 线光刻胶已向国 内中芯国际、合肥长鑫等知名大尺寸半导体厂商供货，是我国供应半导 体光刻胶出货量最大的本土企业之一；KrF（248nm 深紫外）光刻胶产 品分辨率达到了 0.25～0.13µm 的技术要求，已通过部分重要客户测试， KrF 光刻胶量产化生产线正在积极建设中，计划 2022 年形成批量供货。

公司设备齐全，ArF 光刻胶研发进展顺利。目前公司拥有成系列的光刻 机 5 台，包括 2 台 ArF、KrF 光刻机及相关配套设备。目前 ArF 高端光 刻胶研发工作进展顺利，已完成光刻机、匀胶显影机、扫描电镜、台阶 仪等设备购臵。

4.4 南大光电：ArF 光刻胶已送样验证，进度领先行业

江苏南大光电材料股份有限公司是一家专业从事高纯电子材料研发、生 产和销售的高新技术企业。凭借 30 多年来的技术积累优势，公司先后 攻克了国家 863 计划 MO 源全系列产品产业化、国家“02—专项”高纯电子气体（砷烷、磷烷）研发与产业化、ALD/CVD 前驱体产业化等 多个困扰我国数十年的项目，填补了多项国内空白。

2016-2021 年间，公司业务规模快速发展，2021 年实现营业收入 9.84 亿元，CAGR 高达 54.19%；实现归母净利润 1.36 亿元，CAGR 为 76.32%。

公司 ArF 光刻胶率先通过下游客户认证。公司正在自主研发和产业化 的 ArF 光刻胶（包含干式及浸没式）可以达到 90nm-14nm 的集成电路 工艺节点。2017 及 2018 年，公司分别获得国家 02 专项“高分辨率光 刻胶与先进封装光刻胶产品关键技术研发”和“ArF 光刻胶产品的开发 和产业化”项目立项，项目分别于 2020 年和 2021 年通过国家 02 专项 专家组的验收。公司建成了 ArF 光刻胶产品（包括干式和浸没式）的 质量控制平台、年产 25 吨的生产线，研发的 ArF 光刻胶产品分别通过 一家存储芯片制造企业和一家逻辑芯片制造企业客户认证，为 ArF 光 刻胶的规模化量产奠定了坚实的基础。

4.5 华懋科技：投资徐州博康切入光刻胶领域，拥有全产业链能力

华懋科技是国内安全气囊龙头，国内市场占有率位居前列。公司子公司 东阳凯阳 2020 年向徐州博康增资 3000 万元，并向徐州博康实控人傅 志伟提供 5.5 亿元的可转股借款和 2.2 亿元的投资款。华懋科技通过此 举合计持有徐州博康 26.7%股权，成功切入了光刻胶领域。

徐州博康是国内光刻胶领域领先企业，拥有光刻胶原材料到成品的完整 产业链布局。徐州博康成立于 2010 年，是国内领先的电子化学品高新 技术企业，从事光刻材料领域中的中高端化学品的研发、生产、销售。 公司光刻胶供应链实现了从单体、光刻胶专用树脂、光酸剂及终产品光 刻胶的完整布局，是 JSR、东进、TOK、陶氏、住友、锦湖等国际大 厂的光刻材料稳定供应商。

4.6 上海新阳：中国集成电路制造与封测关键材料龙头

上海新阳产品广泛应用于集成电路制造、3D-IC 先进封装、IC 传统封测 等领域，已成为多家集成电路制造公司 28nm 技术节点的基准材料 （Base Line）。作为中国半导体功能性化学材料和应用技术与服务的知 名品牌，上海新阳已立项研发集成电路制造用高分辨率 193nm ArF 光 刻胶与及配套材料与应用技术。以此为基础，公司在国内半导体功能性 化学材料领域的领先地位将更加稳固。

2016-2021 年间公司营收、归母净利润快速成长，2021 年实现营业收 入 10.16 亿元，CAGR 为 19.69%；实现归母净利润 1.04 亿元，同比 下滑的原因主要是：1、公司 20 年金融资产公允价值变动影响非经常 性损益增加 2.2 亿元，但 21 年非经常性损益影响较小。扣除非经常性 损益后的净利润较上年同期增长 85%-128%；2、为进行光刻胶研发项 目以及参与重大国家科技项目研发，公司 21 年研发投入超过 2 亿元。（报告来源：未来智库）

4.7 容大感光：国内 PCB 光刻胶领先企业

深圳市容大感光科技股份有限公司（以下简称“容大公司”）成立于 1996 年，是一家专业生产高端感光化学材料的国家级高新技术企业。 多年来容大公司一直不断给广大客户提供高品质产品、帮助客户持续不 断提高产品质量、控制生产成本，为中国印制电路板（简称“PCB”） 事业的发展做出了积极的贡献。于 2016 年 12 月 20 日成功登陆资本市 场。容大公司已成为国内 PCB 油墨研发、制造的领航者。

容大感光致力于 PCB 感光油墨、光刻胶及配套化学品、特种油墨等电 子化学品研发、生产和销售，已具备了包括 PCB 感光线路油墨、PCB 感光阻焊油墨等产品的完整系列，是行业内生产 PCB 感光油墨产品品 种最为齐全的企业之一。公司凭借先进的技术、完整的产品系列及稳定 的产品性能，与多家 PCB 大中型客户建立了长期、稳定的合作关系， 公司主要客户包括无锡健鼎、奥士康、悦虎电路、川亿公司、金像电子 等国内较为知名 PCB 制造企业。随着容大感光面板及半导体用光刻胶 的成功研发和量产，公司与行业内信利、莱宝、长信、乾照、彩虹、方 正、扬杰等企业建立了业务合作关系。

4.8 雅克科技：专注面板光刻胶，外延并购不断扩充光刻胶版图

雅克科技股份有限公司是一家致力于工业材料，生产和销售的深交所中 小板上市公司。雅克旗下设有“新材料”，“新能源”和“电子”事业部。 在 2016 年，雅克科技先后收购了成都科美特和韩国 Up Chemical，间 接参股韩国 COTEM 公司从而具备了 TFT 正性胶，半导体材料 SDO （旋涂绝缘介质），前驱体和氟化气体的业务能力，并将其归至“电子” 事业部组织框架内。在 2017 年底，雅克科技获得大基金的战略入股支 持。2020 年 2 月 27 日，雅克科技子公司斯洋国际与 LG 化学签署协议， 购买 LG 化学下属的彩色光刻胶事业部的部分经营性资产，主要包括与 彩色光刻胶业务相关的部分生产机器设备、存货、知识产权类无形资产、 经营性应收账款等。

公司在接收 LG 化学的彩色光刻胶业务及控股韩国 Cotem 公司以后， 光刻胶业务的经营业绩持续向好。经过多年的积累，公司在光刻胶领域 拥有多项专利，能够维系头部客户的最先进制程要求。在客户方面，公 司光刻胶业务拥有 LG 显示、三星、京东方、和华星光电等著名企业。 与国内其他企业相比，公司在技术、市场等方面更具优势，未来将为更 多面板生产企业提供更优质的服务。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告来源：【未来智库】。未来智库 - 官方网站