日前全球第三大DRAM厂美光（Micron）在新加坡举行了Fab 10A工厂启用庆典，包括美光CEO Sanjay Mehrotra在内的高层及合作伙伴、供应商、经销商等500多人参加了活动。美光在新加坡扩建的3D NAND闪存晶圆厂8月14日正式完工启用。美光指出，这是因应5G、人工智能（AI）和自动驾驶等领域客户需求的策略，也是美光新加坡闪存制造重镇转型的重要布局。
新加坡是美光闪存生产重要据点，台湾和日本则是动态随机存取存储器（DRAM）生产重心 ，近几年美光扩大亚洲投资，日本持续推升DRAM先进制程，在台中兴建美光海外首座3D DRAM封装厂，且和台中、桃园DRAM厂建构成为美光的DRAM卓越中心。美光并承诺扩大台湾DRAM制造规模，相关计划已提交台湾地区中科管理局审核，希望政府协助解决土地、用水和用电等问题。
据台湾“联合报”25日报道，美光将在台湾加码投资，要在现有厂区旁兴建2座晶圆厂，总投资额达4000亿元新台币（约合人民币903亿元），以下代最新制程生产DRAM。报道称，时值DRAM仍供过于求，美光大手笔投资，震撼业界。
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据悉，这是美光继在台中投资先进内存后段封测厂后，又一次大手笔投资台湾。中科管理局称，美光此次投资案，是台湾第二大半导体投资案（仅次于台积电中科与南科扩建案），若以外商来看，则是最大投资案。
据报道，美光此次4000亿新台币扩建案，规划在目前中科厂旁，兴建A3及A5二座晶圆厂。其中，A3厂预定明年8月完工，并陆续装机，明年第4季导入最新的1z制程试产，借此缩小与三星的差距；第二期A5厂将视市场需求，逐步扩增产能，规划设计月产能6万片。
美光台湾分公司证实在台中扩建A3厂，且已进入兴建工程。美光台湾强调，A3厂房是以扩建无尘室为主，将加入既有的桃园前段晶圆厂，以及台中后里前段晶圆厂的前段晶圆制造生产线， 进一步扩充美光在台设立的DRAM卓越中心的设备更新、技术升级。
美光是全球第三大DRAM厂，位于韩国三星、SK海力士之后。目前全球DRAM市场仍供过于求，价格跌势延续，三星、SK海力士均为暂缓扩产，加上先前日韩贸易战一度使得韩国DRAM生产恐受影响，市场原看好DRAM价格形势可望反转向上，如今美光大手笔投资，引发高度关注。
据了解，美光此次大手笔投资，主要看好进入5G时代之后，快速驱动人工智能（AI）、物联网和无人驾驶等应用发展，带动DRAM需求强劲，提早卡位相关商机，并优先扩建需导入更先进设备的无尘室，以让台湾厂区制程正式推进到最先进的1z时代。
业界分析，以一座晶圆厂运作人数约需1000人计算，美光此次投资，势必要大举招募相关制程和技术人才，美光同步在新加坡和台湾进行3D NAND Flash和DRAM制程推进和产能扩张，扩大全球占有率企图明显。