内存大厂美光科技(Micron) 于10日宣布，全球首款176层3D NAND闪存已正式出货，借此将实现前所未有、领先业界的存储容量和性能。预计通过美光新推出的176层3D NAND闪存技术及先进架构，可大幅提高数据中心、智能边缘运算以及手机设备等存储使用案例的应用性能。
美光指出，176层3D NAND闪存是美光第五代3D NAND产品，以及第二代替换闸（Replacement Gate）架构，为市场上技术最先进的NAND节点。与上一代的高容量3D NAND相比，美光176层3D NAND闪存的读取延迟和写入延迟改善超过35%，可大幅提高应用的性能。此外，美光的176层3D NAND闪存设计精巧，采用比同业最佳竞品还要小30%的晶粒，是小尺寸解决方案的理想选择。美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示，美光的176层3D NAND闪存为业界树立了新标杆。此层数比最接近的竞争对手产品高出近40%，而且结合美光的CuA（CMOS-under-array）架构，该技术使美光得以维持在产业中的成本领先优势。
美光进一步指出，新推出的176层3D NAND闪存提供更好的服务品质（QoS)，此为数据中心SSD的关键设计标准，可以加速资料密集环境和工作负载，例如数据库、人工智能引擎、以及大数据分析等。对5G智能手机而言，强化的服务品质（QoS）使其能更快地在多个应用程序之间进行加载和转换，创造更流畅且快速的手机使用体验，实现真正的多工作业，并充分利用5G低延迟网络。
另外，美光第五代3D NAND产品中的ONFI（Open NAND Flash Interface）总线，提供业界最高的资料传输率1,600 MT/s，相较之前提升了33%。且ONFI的速度提升可加快系统启动并强化应用性能。在汽车应用中，此速度将在引擎启动后立即为车载系统提供接近即时的回应时间，有助于加强用户体验。而美光正与业界开发商展开合作，以迅速将新产品集成至解决方案中。为简化固件研发，美光的176层NAND采用一次写入算法（One-Pass Program），使集成更容易并加快上市时间。
美光强调，随着摩尔定律的放缓，美光在3D NAND产品上的创新对确保业界跟上不断增加的资料需求至关重要。为了实现此里程碑，美光独家结合其堆栈式替换闸架构、崭新的电荷捕捉存储方式以及CuA（CMOS-under-array）技术。美光3D NAND专家团队也利用公司的CuA专利技术取得飞快的进展，在芯片逻辑上建造多层次堆栈，使更多内存能够装入更紧密的空间，并大幅度地缩小了176层NAND闪存的晶粒尺寸，进而使每个芯片达到更高的GB。
同时，美光通过将其NAND单元技术从传统的浮闸式转变为电荷捕捉式，改善未来NAND的可扩展性以及性能。此电荷捕捉技术结合美光的替换闸架构，并利用高导电性金属字符线（word line）代替硅层以实现3D NAND性能，而采用此技术的美光也将得以有效地领先业界，降低生产成本。而且，美光还通过采用这些先进技术来改善耐用性，对航空业的黑盒子和图片监控录像等密集写入的使用案例特别有益。在手机存储方面，176层NAND的替换闸架构可使混合工作负载性能提高15%，以支持超快速边缘运算、强化AI推论以及高画质且即时的多人游戏。
美光176层3D NAND闪存目前已于美光新加坡芯片厂量产，并通过Crucial消费型SSD产品系列向客户出货。美光预计于2021年度推出采用此技术的其他新产品。
(首图来源:科技新报摄)