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国内外SiC MOSFET厂商现状对比,产品差距一到两代?

电子发烧友网报道(文/梁浩斌)随着新能源市场的爆发,电动汽车,光伏、储能等下游应用驱动下,碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiC MOSFET的大规模应用后,在近几年可以看到,国内外各大厂商都密集地加入到SiC的行列中,推出相关产品。


传统硅基半导体由于自身物理性质受限 ,在高温、高压、高频、高功率等领域上性能上限较低。而SiC 的耐高压能力是硅的 10倍、耐高温能力是硅的 2倍、高频能力是硅的 2倍。在实际应用上,还可以缩小模块体积50%以上、消减电子转换损耗80%以上。在系统设计中可以简化散热系统,降低热预算,同时减小电容电感体积,从而降低系统综合成本。


虽然作为第三代半导体的碳化硅,应用起步相比硅要晚很多,相对硅来说,碳化硅产业国内外的差距虽然并没有那么大,但依然存在着代差。在SiC二极管领域,国内外已经处于同一水平线上,不过国内厂商在SiC MOSFET方面,与国际头部厂商依然存在一到两代的差距。所以,为了了解目前国内外已经量产SiC MOSFET的厂商现状以及产品差别,我们整理了主流厂商的SiC MOSFET产品线并做了简单分析。


ST:


在yole的数据中,去年全球碳化硅功率器件市场份额最高的厂商就是ST。同时凭借与特斯拉的合作,ST的SiC MOSFET产品也是最早在电动汽车上被大规模应用的,自Model3车型开始,特斯拉就一直大规模采用ST供应的TPAK碳化硅模块。


ST去年推出了第三代SiC技术平台,器件耐压值从650V、750V到1200V,共有三个规格,采用平面栅工艺,导通电阻从15mΩ到1300mΩ,产品覆盖工业和汽车应用。据称,ST第四代平面型SiC MOSFET将会在今年年底推出市场,性能方面相比第三代导通电阻减少15%,工作频率增加一倍至1MHz。而采用了沟槽栅设计的第五代产品目前还在测试阶段,相比于平面型SiC MOSFET,沟槽型SiC MOSFET可以具有较小的导通电阻,寄生电容较小的同时开关性能更强。


产能方面,ST此前计划在2022财年投入21亿美元来扩大产能,包括扩建原有的6英寸碳化硅晶圆厂、2022投入运营的新加坡6英寸碳化硅晶圆厂。同时,2019年ST收购的瑞典碳化硅衬底生产商Norstel也开始进行8英寸碳化硅材料的测试,预计会在2025年前后可以在新加坡8英寸产线中应用。


罗姆:


罗姆是目前为数不多量产了沟槽型SiC MOSFET的厂商。据官网显示ROHM以额定电压区分,共有四个系列的产品,650V的SiC MOSFET产品有18个型号,750V的有15个型号,1200V的有41个型号,1700V的有3个型号。


最早在2010年,罗姆就推出了首款平面型SiC MOSFET,在2015年推出的第三代SiC MOSFET产品中率先量产了双沟槽结构的SiC MOSFET。2020年罗姆推出了针对电动汽车场景优化的第四代1200V SiC MOSFET,通过改进了双沟槽结构,相比于第三代产品降低了40%的导通电阻,并没有降低短路耐受时间。同时降低栅漏电容,令开关损耗减少高达50%。按照路线图,罗姆第五代SiC MOSFET产品将会在2025年左右推出,预计单位面积导通电阻会比第四代降低30%。


产能方面,罗姆规划在2021-2025年之间,投入10-13亿美元,提高碳化硅衬底以及器件的产能。罗姆旗下碳化硅衬底厂商SiCrystal正在对8英寸衬底进行测试,预计在2023年可以量产。


英飞凌:


英飞凌的SiC MOSFET采用了半包沟槽结构,与罗姆是目前市面上唯二量产沟槽型SiC MOSFET的厂商。在英飞凌官网上,目前主要有650V、1200V、1700V三种规格的SiC MOSFET产品。其中1200V规格中有4款型号可以应用于电动汽车上,从产品料号上来看相比罗姆要少,产品主要面向工业应用。


不过目前英飞凌的SiC MOSFET仍处于第一代,目前已经推出了第一代的升级产品,但第二代产品预计要2022年底在汽车市场推出。根据英飞凌的产品路线图,第二代SiC MOSFET会包括1200V和750V两种电压规格,相比与上一代载电流能力增加25%-30%。


产能方面,英飞凌目前主要通过特有的“冷切割”技术,减少晶锭切割过程中材料的浪费,未来可以在相同晶锭中获得多一倍的碳化硅衬底来增加产能。另一方面,英飞凌在今年宣布投资超过20亿欧元,对位于马来西亚的晶圆厂进行扩建,专门针对碳化硅晶圆进行扩产。


派恩杰:


派恩杰2018年开始专注于第三代半导体SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件,在基于Gen3的技术上又推出了1200V SiC MOSFET,直至2021年派恩杰先后推出涵盖了650V、750V、1200V、1700V四个电压规格的SiC MOSFET产品,填补了国内高压SiC MOSFET的空白市场。


除此之外,派恩杰在2020年成为国内第一家量产车规级SiC MOSFET的公司,并在2021年获得车企订单,被应用于国内外电动汽车OBC。那么产品相比与国外厂商相比如何?


图源:派恩杰


在与某国际厂商的650V 60mΩ SiC MOSFET进行对比时,派恩杰的650V 60mΩ产品P3M06060K4在100kHz条件下,轻载时效率基本一致达到99%,重载时器件效率更高;在4kW时,P3M06060K4器件温度86℃,另一款器件温度则高达96℃。当然这只是在单个维度上的对比。


据透露,目前派恩杰的技术对标WolfSpeed的第三代平面型SiC MOSFET,由德国X-Fab代工。产能方面,派恩杰目前采用Fabless的模式,其SiC模块封装产线在2022年初动工,预计年底就有样品出来。


中电国基南方:


中电国基南方(CETC)成立于1958年,为中国电子科技集团公司第五十五研究所,也是中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一。旗下SiC MOSFET产品包括650V、1200V、1700V三种电压规格,导通电阻覆盖17mΩ-1000mΩ。就在今年7月初,国基南方宣布SiC MOSFET产品首次获得新能源汽车龙头企业大批量订单。


2018年国基南方建立了6英寸碳化硅器件工艺平台,布局覆盖碳化硅材料、设计、制造、封测等各个环节。


爱仕特:


爱仕特成立于2017年,仅仅一年后就成功量产1200V SiC MOSFET,同时推出3300V/60A的SiC MOSFET样片。目前公司的SiC MOSFET产品覆盖650V、900V、1200V、1700V、3300V五种电压规格,采用6英寸晶圆,单芯片最大电流可达120A,导通电阻最低达到15mΩ。


官网显示,爱仕特SiC MOSFET产品100% 通过UIS测试,并按照AEC-Q101标准测试,可以满足车规级要求。2020年公司SiC MOSFET功率模块产线正式通线,目前其功率模块已经实现大量出口。据称,今年比亚迪在车载OBC上采用了爱仕特650V SiC MOSFET,年需求量达到300万只,双方已经签下供货协议。


小结:


除了上面提到的厂商之外,国内包括基本半导体、华润微、泰科天润、清纯半导体、芯塔电子、上海瀚薪、瞻芯电子都已经推出了SiC MOSFET产品,并有部分已经获得新能源车企订单。当然我们也可以看到,国产SiC MOSFET目前主要被用于OBC上,应用于电动汽车主驱上的基本还没有。但随着国内需求的增长,在国产替代的趋势下,我们可能会在1-2年后,就能看到国产SiC MOSFET产品从技术以及产能上的新一轮爆发。