GlobalFoundries宣布，该公司已与新加坡南洋理工大学和国家研究基金会合作开发电阻式随机存取存储器（ReRAM）。这种下一代存储技术将为快速非易失性大容量嵌入式缓存铺平道路。该项目将耗时四年，耗资1.2亿新元（8800万美元）。
目前，GlobalFoundries（和其他半导体的合同制造商）使用eFlash（嵌入式闪存）用于需要大容量板载存储的芯片。使用20nm以下技术制造芯片时，这项技术具有许多局限性，例如耐久性和性能，这也是GlobalFoundries和其他芯片制造商在未来的设计中寻求用磁阻RAM（MRAM）代替eFlash的主要原因，因为它被认为是当今可以使用现代芯片工艺制造的最耐用的非易失性存储技术。
MRAM依赖于读取由薄势垒隔开的两个铁磁膜的磁各向异性（方向），因此在写入数据之前不需要擦除周期，这使其比eFlash快得多。此外，其写入过程需要相当少的能量。另一方面，MRAM的密度相对较低，在低温下其磁各向异性降低，但对于大多数不涉及低温的用例来说，仍然非常有希望。
这使研究人员进一步研发ReRAM，ReRAM依靠电流改变电介质材料上的电阻（从“ 0”到“ 1”或其他）。该技术也不需要擦除周期，具有很高的耐久性，并且假设使用正确的材料，则可以在很宽的温度范围内工作。同时，即使使用“薄型”现代制造工艺（例如GF的12LP或12FDX）生产存储单元，用于ReRAM的合金通常也应该非常稳定，以使其能够承受数百万次开关并保留数据。为ReRAM寻找合适的材料物质将是NTU研究的主题，如果研究成功的话，GlobalFoundries将大批量生产这种新型存储器。