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美国对以华为为代表的中国企业的制裁愈演愈烈，我们在谴责这种无耻行为的同时，不禁要去想：华为到底有多牛，值得美国这样对待？提起华为大家首先想到的或许是手机，但却少有人知道华为还拥有众多对锂离子电池领域的相关研究，是一个名副其实的锂电大佬。本期我们精选华为近期关于锂电领域的2项研究成果进展，并附上前段时间华为官网公布的92家供应商完整名录，供大家交流参考。
第一部分
华为中央研究院联合美国阿贡国家实验室通过La和Al掺杂，将LiCoO2的稳定电压提高到了4.5V，可逆容量达到190mAh/g
完整文章信息：
Approaching the capacity limit of lithium cobalt oxide in lithium ion batteries via lanthanum and aluminium doping
Nature Energy volume 3, pages 36–943 (2018)
说到钴酸锂大家都不会陌生，自从索尼推出第一款商业锂离子电池以来，钴酸锂材料长期以来占据锂离子电池正极材料的霸主地位，虽然近年来动力电池对低成本、高比能电池的需求使得三元材料的市场需求快速增加，但是在消费电子产品领域钴酸锂仍然具有绝对优势。
钴酸锂材料的理论容量为274mAh/g，但在实际使用中为了保持钴酸锂的结构稳定性和良好的循环性能，我们一般将充电电压限制在4.2V左右，因此钴酸锂的实际使用容量也就在140mAh/g左右，近年来材料厂家通过表面包覆合、元素掺杂等手段提升了钴酸锂材料的结构稳定性，充电电压可以提升至4.35V，从而使得钴酸锂材料的可逆容量达到165mAh/g左右，但是这仍然无法满足高比能锂离子电池的需求。
为此华为中央研究院联合美国阿贡国家实验室通过La和Al掺杂，将LiCoO2的稳定电压提高到了4.5V，可逆容量达到190mAh/g，其中La能够增加LCO材料在c轴方向上的晶胞参数，Al则能够起到促进Li+扩散、稳定晶体结构和防止LCO材料相变的作用，两者相互作用显著改善了LCO材料在高电压下的结构稳定性，循环50次后仍然能够保持96%的容量，并使得LCO材料的倍率性能得到了大幅提高。
通常我们认为造成LCO材料可逆容量低的因素主要是LCO材料在充电过程中发生的复杂相变，在低电压下LCO会经历绝缘体／金属导体的转变，当充电到4.2V后，LCO材料还会发生有序-无序材料转变（O3转变为C2/m最终转变回O3），当继续充电至4.5V，O3相则会继续转变为H1-3或者O6相，虽然这些相变是可逆的，但是有序向无序相转变会显著降低Li+的扩散速度，而当继续转变为H1-3相时则会在材料内部产生严重的机械应力，在颗粒内部和颗粒之间产生裂纹，并伴随着Li+扩散速度的降低，从而导致LCO材料的可逆容量迅速衰降，因此早期的LCO材料一般都选择4.2V作为充电截止电压。
上图为普通LCO（上图c）和La、Al掺杂LCO（上图d）的高分辨率XRD（HRXRD）图谱，通过计算发现，La掺杂使得晶胞参数c从14.0545A提高到了14.0588A，增加0.03%，而晶胞参数a则从2.8159A下降到了2.8156A，下降0.01%。
过渡金属元素的溶出一直是困扰正极材料的问题，针对LCO材料中过渡金属元素溶解状况分析发现，普通LCO材料在60℃下存储14天后电解液中Co的浓度达到91.1ppm，而掺杂后的LCO材料的Co溶出仅为4.2ppm，表明La、Al掺杂能够显著的改善LCO材料的晶体结构稳定性。
电化学测试表明掺杂和非掺杂的LCO材料在充电到4.5V时均能够发挥出190mAh/g的容量，达到其理论容量的70%左右，但是当我们对比两种材料的倍率性能和循环性能时就能够发现，掺杂后的LCO材料在循环和倍率性能得到了明显的提升，例如在2C倍率下，掺杂LCO材料的容量可达167mAh/g，要比不掺杂的LCO高出14mAh/g，在循环性能方面掺杂LCO材料在循环50次后容量保持率可达96%，而非掺杂LCO材料的容量保持率仅为84%，远低于La、Al掺杂LCO材料。电化学性能测试结果表明La、Al掺杂不仅仅能够提升LCO材料晶体结构的稳定性，改善LCO的循环性能，还能够提高Li+的扩散速度，从而提高倍率性能。
材料的dQ/dV曲线是反应材料相变的重要参考点，从没有掺杂的LCO材料的dQ/dV曲线（上图e）上能够看到，材料在4.1V、4.2V和4.46V出现了三个峰值，其中4.1V、4.2V对应的为材料的有序-无序结构转变，而在4.46V处的峰则表示材料进一步发生相变，而我们反观经过掺杂处理的LCO材料在相同的电压范围内没有出现峰值，表明La和Al掺杂很好的抑制了LCO材料的相变。
原位X射线衍射分析揭示了LA、Al掺杂提高LCO材料循环性能的原因，从下图中能够看到掺杂后的LCO材料除了在低电压范围内有一个绝缘体-金属导体的转变外，在整个电压范围内都是单相固溶体结构，而没有掺杂的LCO材料在整个电压范围内发生了一系列的相变反应。从下图b和c来看在脱Li的过程中没有掺杂的LCO材料的晶胞参数c变化明显要好于经过掺杂的LCO材料，因此导致没有掺杂的LCO在脱Li过程中晶胞体积膨胀达到3.63%，而经过掺杂处理的LCO仅为2.97%，这极大的减少了LCO在脱Li过程中颗粒内部和颗粒之间应力的产生，提升了LCO材料的循环性能。
通过对LCO材料的比面电阻进行分析发现，没有掺杂处理的LCO材料在循环过程中比面电阻上升的很快，而经过掺杂处理后的LCO材料循环过程中电极的比面电阻仅有轻微的升高，这主要是因为La、Al掺杂很好的抑制了脱Li过程中的LCO材料的相变，从而减轻了材料中的应力，避免了循环过程中LCO材料裂纹的产生。而没有掺杂的LCO材料由于脱Li过程中LCO中存在多种相变，因此导致了LCO材料在循环过程中积累了大量的应力，从而在颗粒表面产生了许多的裂缝，从而加剧了电解液在LCO材料表面的分解，导致电阻迅速增加。
华为中央研究院和阿贡实验室的科研人员们紧密合作，通过在LCO材料中掺入少量的La和Al很好的抑制了在脱Li过程中LCO材料发生的相变，减轻了颗粒内部和颗粒之间的应力产生和积累，从而减少了循环过程中LCO颗粒表面裂纹的产生，极大的提升了LCO材料在4.5V高电压下的循环稳定性，同时使得LCO材料的可逆容量达到190mAh/g，远高于目前的高压钴酸锂材料（4.35V，165mAh/g）。同时La、Al掺杂还显著的提升了Li+在LCO材料那的扩散速度，提升了材料的倍率性能。
第二部分
华为中央研究院联合北航的研究人员提出了一种具有高度重复性的研究电池内短路的新方法，并结合实验和仿真手段考察了内短路发展过程
完整文章信息：
Safety issues caused by internal short circuits in lithium-ion batteries, Journal of Materials Chemistry A, 2018, 6, 21475
内短路（ISC, Internal Short Circuit）一直是锂离子电池安全性研究的重要课题之一。目前所开发的内短路研究方法包括热触发（石蜡、相变材料、形状记忆合金等）、电触发（充电/放电等）和机械触发（针刺、内置金属颗粒、打孔隔膜等）。但由于电池体系的封闭性和热、电、机械等多重因素的影响，内短路发生过程及机理远未达到深刻理解的程度，内短路研究迫切需要高重复性、高精确性的新原理、新方法。本方法亮点：
1.方法具有很高的重复性；
2.结合实验和仿真手段探究内短路发展过程。
图1. (a)实验装置图；(b)实验台上电池温度和电压布线点；(c)电池尺寸信息；(d)电池OCV曲线；(e)不同OCV正负极电位。
该研究是将直径为2 mm的小钢球通过挤压方式以1mm/min的速度侵入电池触发内短路，实验装置如图1a所示。实验过程监测了电压、不同位置温度变化（图1b）及实时视频。实验所用的电池为华为提供的LiCoO2手机电池（如1b），电池尺寸为84*3.4*64.5 mm（图1c），具体容量信息未给出，图片放大后只能看到电池是2017年6月生产。
图S2. 用95%SOC电池验证本方法的重复性。
首先，作者对实验方法的可重复性进行了验证，结果如图S2所示。重复实验了四次，从力、电压和电池温度结果来看，本文提出的圆球挤压出发内短路的方法有着较好的可重复性。
图2. 电极间接触电阻测量：(a)四种内短路接触形式：Ⅰ代表正极-负极短路，Ⅱ代表正极-Cu箔短路，Ⅲ代表Al箔-负极短路，Ⅳ代表Al箔- Cu箔短路；(b)实验装置图；(c)实验测试情景图；(d)测试所用极片。
图S3. 四种不同接触形式的面积接触电阻随压力的变化关系。
根绝接触形式的不同，锂离子电池内短路可简单归为四种：正极-负极、正极-Cu箔、Al箔-Cu箔、Al箔-负极。作者随后利用实验装置对以上四种接触形式的面积接触电阻进行了测量，结果如图2和图S3所示。四种接触形式中面积接触电阻从大到小排序为：正极-Cu箔>Al箔-负极>正极-负极>Al箔-Cu箔。
注：目前一般性的理解是Al箔-Cu箔接触电阻最小但不是最危险的，主要是Al和Cu的散热性很好；Al箔-负极接触电阻要比正极-负极的小，主要是负极也有较好的导电性，Al箔-负极短路最为危险。
图3. (a)锂离子电池有限模型(finite element model)；(b)直径2 mm钢球挤压侵入电池过程实测力与仿真结果对比；(c)多物理参数模型(multi-physics model)所用到的五大模型。
由于内短路过程无法直接观察测量，作者利用有限元和多物理参数模型对内短路过程进行了辅助分析。其中，力模型(mechanical model)用于分析内短路前的挤压过程，电池模型(battery model)和短路模型(short circuit model)用于分析内短路过程的电化学行为，热失控模型(thermal runaway model)用于分析热失控行为，以上四大模型和热模型(thermal model)联合使用。模拟仿真过程较为复杂，且目前利用仿真手段研究电池的论文愈来愈多，感兴趣的朋友可以详细研究下本论文中的相关讲解，在此不赘述。
图4. 电池5%SOC、60%SOC和95%SOC被直径2 mm钢球以1 mm/min速度挤压侵入过程力、电压、电池表面温度随时间变化曲线。
当电池为5%SOC时（图4a），自钢球开始接触电池表面起挤压力不断增大，且在66 s达到282N，随后挤压力陡降同时伴随着电压下降和电池表面温度上升，表明电池开始发生内短路。随着侵入的深入，挤压力又开始上升，同时电压不断降低最后稳定在0.4V。全过程电池表面温升只有11 ℃且未发生热失控，表明整个侵入过程以放电为主。
当电池为60%SOC时（图4b），挤压力达到接近800 N观察到电压显著降低，此前可观察到5次电压抖动，其中首次电压抖动发生在挤压力约300N左右。最终电压达到0，电池表面最高温度达到100 ℃左右，电池未发生热失控。当电池为95%SOC时（图4b），挤压力达到270 N左右电压跳水至约3 V，在3 V附近波动3 s后电池发生热失控，电池表面最高温度达到650 ℃左右。
图5. 利用模拟仿真手段分析内短路过程：(a)严重内短路发生前；(b)严重内短路发生后。
图4所示的钢球侵入过程力、电压和温度变化均为表象结果，为了更好揭示内短路发展过程，作者利用模拟仿真手段对该过程进行了辅助分析。如图5a所示，以60%SOC电池为例，在点1已经施加了挤压力，未电压变化，但仿真结果显示此时Al箔已经发生了一定程度的断裂。在点2，电压出现约0.12mV的抖动，仿真结果显示局部隔膜熔化、正负极发生的短路。在点3，电压和挤压力同时较大幅度降低，仿真显示正极活性物质破损，导致接触电阻降低、放电电流增大。而当内短路进行到点4，负极活性材料破损导致出现Al箔-Cu箔短路。通过模拟仿真手段，可以清晰了解钢球挤压侵入导致的内短路发展过程。
通过模拟仿真，作者猜测可能内短路的演化存在三种典型模式：模式一，对于高SOC电池（图5b 100%SOC），电压先陡降至极低值，维持一段时间后最终降至0；模式二，对于中等SOC电池（图5b 60%SOC），电压先降至低值，随后出现一定程度反弹达到稳定值；模式三，对于低SOC电池（图5b 0%SOC），电压先降至低值，再逐步降低0。
从图5b仿真结果来看，60%SOC和95%SOC内短路的差别在于2s后60%SOC电池的隔膜熔化停止，而95%SOC隔膜熔化不断扩展。因此，考察内短路应重点关注隔膜熔化和集流体熔化。作者认为轻微内短路过程以集流体熔化为主（如60%SOC或低SOC），而严重内短路则以隔膜熔化为主（如95%SOC）。
图6. (a)模拟仿真模型；(b)轻微内短路（左图，60%SOC）和严重内短路（右图，60%SOC）电池拆解后隔膜、负极和正极SEM图像。
60%SOC电池经钢珠挤压侵入发生轻微内短路时（图6b左图），隔膜上出现小熔孔，正负极表面未出现贯穿的孔洞，仅在突出位置出现裂纹。而发生严重内短路时（图6b右图）受挤压部位的隔膜大面积熔化，边缘部位呈毛刺状，正负极出现贯穿的孔洞。隔膜、Al箔、Cu箔的熔点温度分别在130 ℃、600 ℃和1100 ℃左右，根据隔膜、集流体是否熔化可粗略判断局部产热和热积累情况。
图7. 基于多物理参数模型得到的电池安全边界。其中RrA轴5-50 Ωmm2范围为严重内短路，122-300 Ωmm2范围为轻微内短路。RrA, Rr和SOC共同决定电池内短路危险程度。
如图7所示，作者认为SOC、Rr（内短路电阻）和RrA（内短路电阻与接触面积乘积）是决定电池内短路安全风险等级的主要因素。SOC越高，内短路安全风险越大。即使是轻微内短路，如果接触面积足够大，仍有可能发生热失控。而在严重内短路区域，也仅有B和D所代表的隔膜融化能造成热失控。
第三部分
此前，华为在官网公布了这92家2018年核心供应商获奖名单，名单奖项共分为六大类项，包括“连续十年金牌供应商”、“金牌供应商”、“优秀质量奖”、“最佳协同奖”、“最佳交付奖”以及“联合创新奖”。看看有没有你所在的公司—————
01
具体名单
1、连续十年金牌供应商（2家）：
2、金牌供应商（65家）：
3、优秀质量奖（7家）：
4、最佳协同奖（2家）：
5、最佳交付奖（9家）：
6、联合创新奖（7家）：
02
总体情况
在上述92家核心供应商名单中，美国供应商入选数量最多，包括英特尔、恩智浦、高通、博通等共计33家；
大陆供应商数量排名第二，包括立讯精密、比亚迪、京东方、瑞声科技、顺丰等共计25家。
其中，顺丰因为收购了华为供应链公司DHL（敦豪）在华业务，首次入选华为核心供应商。
此外，京东方今年首次华为提供柔性OLED曲面屏，是华为新旗舰Mate 20 Pro第一屏幕供应商，首次被华为评为金牌供应商。
其他的分别是：日本11家，中国台湾10家，德国4家，瑞士、韩国以及中国香港各有2家，荷兰、法国、新加坡各有1家。
03
92家核心供应商简介
1、英特尔（intel）：总部在美国，全球第二大半导体公司，华为芯片供应商。英特尔主要为华为云提供计算和存储等支持，华为SD-WAN产品均采用了英特尔从凌动到至强D系列处理器。
2、恩智浦（NXP）：总部在荷兰，华为NFC芯片及音频放大器供应商，提供高性能混合信号和标准产品解决方案。
3、灏讯（HUBER SUHNER）：总部在瑞士，全球知名的射频连接器和光学连接器元件系统供应商，在大陆设有多座电缆连接器工厂，主要为华为提供通讯传送产品。
4、赛灵思（Xilinx）：总部在美国，全球最大的FPGA芯片制造商，为华为提供FPGA芯片及视频编码器。
5、美满（Marvell）：总部在美国，原名迈威科技，全球顶尖的存储、网络和无线连接解决方案供应商，中国总部在上海，目前在南京和成都均设有研发中心。
6、富士康（Foxconn）：总部在台湾，是华为手机、平板电脑代工厂。
7、生益电子（SYE）：总部在中国大陆，已连续多年获得华为核心供应商奖，主要为华为提供PCB（印刷线路板）。
8、中利集团（ZHONGLI GROUP）：总部在中国大陆，主要经营特种电缆、光缆、光伏产品和电站业务，是华为线缆供应商。
9、富士通（Fujitsu）：总部在日本，曾是全球第三大IT服务公司，第二大企业用硬盘驱动器制造商和第上大移动硬盘制造商。目前，业务遍及全球100多个国家，雇员约155,000名。
10、沪士电子（WUS Printed Circuit）：总部在中国大陆，前身为沪士电子（昆山）有限公司﹐由台湾楠梓电子、沪士（吴氏）集团公司与中新苏州工业园区创投公司、昆山开发区资产管理公司共同投资成立﹐致力于印制电路板的研发设计和生产制造，为华为提供PCB产品。
11、美光（Micron）：总部在美国，全球前五大半导体制造商，其存储产品仅次于三星和SK海力士，排名全球第三。美光有近半营收来自中国市场，主要为华为、阿里巴巴等中国巨头提供存储产品。
12、广濑（HRS）：总部在日本，是世界排名领先的精密连接器制造商，为华为供应连接器及相关组件。
13、比亚迪（BYD）：总部在中国大陆，比亚迪于2014年开始切入华为供应链，当时主要为其提供手机结构件。
如今，比亚迪已成为华为全系列机型一体化解决方案供应商，包括组装、提供电池、充电器等零部件。2018年，比亚迪参与的华为旗舰机型有P、Mate系列，以及荣耀、麦芒、nova等系列。
14、村田（Murata）：总部在日本，全球被动元件龙头，主要为华为提供滤波器和MLCC等产品。
15、索尼（Sony）：总部在日本，全球最大的CMOS传感器供应商，为华为提供手机摄像头及相关模组。
16、大立光电（LARGAN）：总部在中国台湾，手机镜头龙头厂商，同时也是华为旗舰机型的镜头供货商。
17、高通（Qualcomm）：总部在美国，是全球最大的移动芯片供应商，同时也是华为调制解调器芯片主要供货商。
18、亚德诺（Analog Devices）：总部在美国，华为芯片供应商，在模拟与数字信号处理领域实力强劲。
19、康沃（Commvault）：总部在美国，全球企业数据备份、恢复、归档和云服务领导者，跟华为在数据保护解决方案领域有密切合作。
20、安费诺（Amphenol）：总部在美国，华为连接器及线缆供应商。安费诺去年营收达70.1亿美元，是全球第二大连接器制造商，产品包括电子和光纤连接器、同轴和扁平带状电缆、互联系统等。
21、立讯精密（Luxshare）：总部在中国大陆，是国内最大的连接器制造商，2011年通过收购切入华为供应链，2018年获华为全球核心供应商金奖。
22、欣兴电子（Unimicron）：总部在中国台湾，是电路板（PCB）、集成电路载板（IC Carrier）产业的世界级供货商，目前在大陆有五个生产基地，两个在昆山（欣兴同泰、鼎鑫电子）、一个在苏州（群策科技）、一个在黄石（欣益兴电子）、一个在深圳（联能科技）。
23、莫仕（Molex）：总部在美国，是华为顶级连接器与线缆供应商。莫仕主要靠做端子、胶壳起家，在19个国家拥有近60座工厂，目前业务主要集中于电子、电气和光纤连接器的制造。2013年，莫仕被科氏工业集团（Koch Industries）以72亿美元的价格收购。被收购后，公司仍保持独立运营，且名称不变。
24、耐克森（Nexans）：总部在法国，全球知名的电缆巨头，前身为阿尔卡特（Alcatel）公司，是华为线缆供应商。
25、京东方（BOE）：总部在中国大陆，华为在今年首次使用了京东方的显示屏，其中最新发布的旗舰机Mate 20使用京东方的屏占比超过15%。
26、阳天电子（i-brights）：总部在中国大陆，全球化的户外数字标牌跨国公司，华为温控设备的最大供应商，华为通信整机主力供应商以及华为TOP级的结构件供应商。据了解，阳天电子已连续多年获得华为核心供应商大奖。
27、中航光电（JONHON）：总部在中国大陆，中国非消费电子连接器龙头，是华为线缆与连接器物料领域供应商。
28、甲骨文（Oracle）：总部在美国，世界上最大的企业级软件供应商。
29、住友电工（Sumitomo Electric）：总部在日本，全球领先的光纤光缆供应商，主要通过其中国子公司SEA向华为供应光通信器件。
30、安森美（ON Semiconductor）：总部在美国，主要为华为旗舰机提供包括光学防抖、自动对焦、可调谐射频器件、摄像机和充电器的电源管理集成电路解决方案以及保护器件等。此外，安森美半导体还给华为的太阳能和大功率应用提供解决方案。
31、中远海运（COSCO SHIPPING）：总部在中国大陆，由中国远洋运输（集团）总公司与中国海运（集团）总公司重组而成，为华为提供货物运输业务。
32、顺丰速递（SF EXPRESS）：总部在中国大陆，今年，顺丰以55亿元的价格收购了华为供应链公司敦豪（DHL）在华业务，包括敦豪香港、敦豪北京100%股权。藉此收购，顺丰首次入围华为全球核心供应商奖名单。
33、中国外运（Sinotrans）：总部在中国大陆，于2003年2月13日在香港上市。截至2017年底，中国外运总资产达622.87亿元人民币，净资产258.35亿，目前已是中国最大的综合物流整合商。
34、新能源科技有限公司（ATL）：总部在中国香港，是世界领先的锂离子电池制造商，主要为华为提供电池类产品。
35、舜宇光学（Sunny Optical）：总部在中国大陆，华为摄像头模组主力供货商。
36、天马（TIANMA）：总部在中国大陆，华为屏幕供应商。据了解，今年是天马首次获得华为全球核心供应商金奖。
37、SK海力士（SK Hynix）：总部在韩国，华为内存供应商。
38、罗德与施瓦茨（Rohde&Schwarz）：总部在德国，罗德与施瓦茨是全球无线领域领先的测试与测量设备供应商，同时也是世界上仅有的NB-IoT测试设备供应商之一，主要为华为提供从产品开发到产线无缝衔接的NB-IoT测试方案。例如，海思设计的NB-IoT终端芯片测试解决方案就是由罗德与施瓦茨提供。
39、是德科技（Keysight）：总部在美国，是一家生产测试与测量仪器与软件的公司。是德科技的前身为安捷伦（Agilent）公司，于2013年分拆成两家独立的上市公司，一家保留安捷伦原名，另一家则命名为“是德科技”。目前，是德科技主要帮助华为完成5G技术的测试工作。
40、美国国际集团（AIG）：总部在美国，是一家从事保险和保险相关业务的控股公司，为全球近140个国家的企业和个人提供保险、金融、投资及资产管理等服务。
41、思博伦（Ospirent）：总部在美国，全球领先的通信测试仪表及测试方案提供商，为华为提供验证测试业务。
42、红帽（Red Hat）：总部在美国，是全球开源软件和技术主要供应商。2018年10月，IBM宣布以340亿美元的价格收购红帽。
43、SUSE：总部在德国，SUSE诞生于1992年，2003年被Novell买下，7年后又被卖给了Attachmat。2014年，Micros Focus宣布收购Attachmat，并顺带接收了SUSE。2018年，SUSE被第四度转手卖给了私募基金公司EQT。
44、晶技股份（TXC）：总部在中国台湾，是台湾第一大、全球第四大石英元件供应商，主要为华为提供石英震荡器及表面声波震荡器等产品。
45、东芝存储（Toshiba Memory）：总部在日本，提供从硬盘 (HDD)、固态混合硬盘 (SSHD) 和固态硬盘 (SSD) 到 NAND 闪存的各种存储技术。
46、希捷（Seagate）：总部在美国，主要为华为提供高速硬盘以及闪存等解决方案。
47、西部数据（Western Digital）：总部在美国，为华为大数据应用提供创新的存储技术和硬盘产品。
48、光迅科技（Accelink）：总部在中国大陆，主要从事光通信领域内光电子器件的开发及制造，产品基本覆盖了主要的有源器件和无源器件，是华为光模块供应商。
49、迅达科技（TTM Technologies）：总部在美国，全球前十大及北美最大的印刷电路板制造商，为华为提供PCB及相关产品。
50、新思科技（Synopsys）：总部在美国，是全球排名第一的芯片自动化设计解决方案提供商和芯片接口IP供应商，新思不但和华为海思合作设计了全球首款商用人工智能手机芯片，还为华为提供软件安全评估。
51、华工科技（Hgtech）：总部在中国大陆，华工科技主营业务是激光技术及其应用和传感器，全资子公司华工正源主要从事光模块开发，是华为5G光模块供应商。
52、长飞（YOFC）：总部在中国大陆，华为光纤光缆供应商。
53、意法半导体（ST Microelectronics）：总部在瑞士，是全球主要的MCU、MEMS传感器及NB-IoT开发板供应商。
54、思佳迅（Skyworks）：总部在美国，成立于1962年，华为射频芯片供货商。
55、微软（Microsoft）：总部在美国，全球最大的软件公司，主要为华为提供翻译技术。不过，微软今年也宣布，准备采购华为自研的人工智能（AI）芯片，用于微软在中国的数据中心。
56、深南电路（SCC）：总部在中国大陆，主要为华为提供包括无线通信基站用PCB在内的各类产品。
57、新飞通（Neo-Photonic）：总部在美国，在中国深圳也设有总部，另在武汉、东莞分别设有研发和制造基地。新飞通主要为华为提供光通讯产品，是全球领先的光通信器件供货商。
58、Qorvo：总部在美国，全球知名的RF解决方案供应商。Qorvo为华为最热门的旗舰智能手机和中端智能手机提供多个创新型RF解决方案，包括RF Fusion?、RF Flex?、高度集成的功率放大器、天线调谐器、高级滤波器、包络跟踪器和移动 Wi-Fi 解决方案。此外，Qorvo也为华为无线基础设施和蜂窝回程业务提供丰富的高性能元件。
59、古河电工（Furukawa）：总部在日本，成立于1884年，产品主要以光纤、电线电缆为主，是日本知名的光纤龙头大厂。
60、瑞声科技（AAC Technologies）：总部在中国大陆，是华为声学器件主力供货商。
61、联恩电子（NTT Electronics）：总部在日本，主要提供光纤接入产品和视频编码器芯片。
62、Sumicem：总部在日本，是住友集团旗下住友大阪水泥株式会社（SOC）的光电子事业部门，主要生产LiNbO3调制器。
63、歌尔股份（Goertek）：总部在中国大陆，是华为高端智能手机声学器件主供货商，提供的产品包括声学精密零组件和智能硬件等。
64、华通电脑（Compeq）：总部在中国台湾，华为PCB供应商，是家集硬板（PCB）、软板（FPC）、软硬结合板（RF-FPC）、表面贴片（SMT）生产制造于一体的大型企业。
65、三菱电机（Mitsubishi Electric）：总部在日本，成立于1921年，是全球知名的电机产品供应商。
66、三星（Samsung）：总部在韩国，是全球最大的半导体供应商，尤其在存储器、屏幕及CMOS图像传感器等领域均领先全球，主要为华为提供OLED屏幕及内存/闪存产品。
67、南亚科技（NanyaTechnology）：总部在中国台湾，是华为存储芯片供应商。
68、赛普拉斯（Cypress）：总部在美国，为华为提供传感器（三轴加速度计）、BST电容控制器等。
69、高意（II-VI）：总部在美国，全球领先的光电产品供应商，产品包括光纤通讯元器件和功能模块、可见光和红外激光器、光学元器件、光电晶体材料和元器件、微光学元器件等。
70、Inphi：总部在美国，成立于2000年11月，是一家为通讯与运算市场提供高速模拟半导体解决方案的公司，主要为网络原始设备制造商（OEM）、光模块、云和电信服务供应商提供半导体组件和光学子系统。
71、松下（Panasonic）：总部在日本，主要业务有电子材料、电子元器件、电池、汽车电子设备、工厂和工业自动化设备及方案等。
72、航嘉（Huntkey）：总部在中国大陆，是华为消费电源核心供应商。
73、旺宏电子（Macronix International）：总部要中国台湾，华为高端NOR Flash供应商。
74、华勤通讯（HQ）：总部在中国大陆， 华为ODM供应商，主要为其设计研发和生产手机。
75、迈络思（Mellanox）：总部在美国，于1999年成立，产品包括网络适配器、交换机、网络处理器、软件和芯片。2018年11月初，外媒称赛灵思有意收购迈络思，出价高达55亿美元，目前双方仍在洽谈中。
76、台积电（TSMC）：总部在中国台湾，是全球最大的半导休晶圆代工厂，华为今年推出的三款手机nova 3、nova 3i和Mate 20系列处理器均由台积电独家代工。
77、核达中远通（VAPEL）：总部在中国大陆，是华为电源及相关组件供货商。
78、风河（Wind River）：总部在美国，是全球领先的智能互连系统软件提供商，为华为提供VxWorks操作系统。2018年4月，全球另类资产公司TPG宣布将从英特尔手中收购风河公司。
79、亨通光电（HTGD）：总部在中国大陆，世界光纤光缆三强，目前亨通占据国内光纤通信市场份额25%、全球市场份额的15%，主要为华为提供通信产品及系统解决方案。
80、日月光集团（ASE GROUP）：总部在中国台湾，全球最大的半导体封测厂，主要承担华为芯片的封测业务。
81、联发科（MediaTek）：总部在中国台湾，亚洲最大的手机芯片设计公司，为华为低端手机提供芯片产品。
82、蓝思科技（Lens Technology）：总部在中国大陆，为华为提供玻璃前盖、后盖、摄像头、TP、装饰件等产品。特别是华为今年最新发布的Mate 20系列，蓝思科技是该机型前后盖3D玻璃的核心供应商。
83、中芯国际（SMIC）：总部在中国大陆，是内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，主要为华为海思生产电源管理芯片。
84、伟创力（Flex）：总部在新加坡，全球第二大EMS代工厂，主要为华为基站、接入网/企业网产品、华为旗舰手机、华为LTE移动手机等提供组装业务。
85、罗森伯格（Rosenberger）：总部在德国，是一家拥有60余年历史的国际顶端无线射频和光纤通信技术制造商，1997年正式进入中国，并成立了全资子公司罗森伯格亚太电子有限公司。
86、伯恩光学（BIEL）：总部在中国香港，华为玻璃盖板供应商。
87、Lumentum ：总中在美国，华为光学元件供应商。
88、菲尼萨（Finisar）：总部在美国，是全球光纤通讯领域行业中规模最大的光器件供应商，同时也是业内公认的垂直表面发射激光器 （VCSEL)）制造和技术领域的全球领导者。
89、铿腾电子（Cadence）：总部在美国，是家专门从事电子设计自动化（EDA）的软件公司。
90、博通（Broadcom）：总部在美国，为华为提供WiFi BT模块、定位中枢芯片、射频天线开关等产品。
91、德州仪器（Texas Instruments）：总部在美国，全球最大的模拟半导体制造商，为华为提供DSP和模拟芯片。
92、英飞凌（infineon）：总部在德国，是全球功率器件龙头。在分立器件和模块细分市场，英飞凌是排名第二的公司市场份额的两倍。在分立IGBT市场，英飞凌市场份额是紧随其后的竞争对手市场份额的三倍之多。目前，英飞凌主要拥有微处理器、LED驱动、传感器以及汽车用集成电路与功率管理芯片等各类产品。
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