据外媒报道，美光科技最近在建设一个价值数十亿美元的用于研究和开发3D NAND技术的工厂。3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制，已实现容量的增加。
这个新工厂正在美光现有的 NAND制造中心附近，美光在2016年投资40亿美元进行扩建。扩建的300mm 3D NAND制造厂是其NAND中心的一部分，正在建设中的新工厂将扩大公司的研发能力，并可以让美光实现“更复杂的设计”，Sanjay Mehrotra（美光总裁兼首席执行官）表示：新工厂将配备新员工，这些新员工主要是专门从事3D NAND制造的工程师和技术人员，将包括多达600名应届毕业生。
新工厂预计将于2019年中期完成，并将在明年第四季度之前实现晶圆量产。但是，美光并不打算增加额外的晶圆产量（至少目前是这样），所以那些希望由于增加NAND芯片而实现SSD产品降价的可能要继续等待了。该工厂可能将主要用于研发，设计可生产的更先进的闪存，并尝试新的制造方法，用于日益复杂的堆叠和密集设计，而不是加强目前正在练成的存储芯片的产量。
与新的3D NAND工厂一起，美光科技将与新加坡经济发展局达成协议，在未来五年内为新加坡现增加1,000个新工作岗位，达到7,500个工作岗位。《商业时报》和《亚洲新闻频道》指出，在过去的20年中，美光在新加坡投入巨资，大约在200亿美元以上。