合作将使用 Soitec 的 Smart Cut 技术和 IME 的试验生产线来制造 200 mm 直径的 SiC 半导体衬底
新加坡科学技术研究局 (A*STAR) 的微电子研究所 (IME) 和半导体材料公司 Soitec 宣布开展研究合作，开发下一代 SiC 半导体器件，为电动汽车和先进的高压电子器件提供动力。根据合作，双方将利用 Soitec 的专利技术，如 Smart Cut 和 IME 的试验生产线，制造直径200毫米的SiC半导体衬底。
联合研究将有助于开发一个整体的 SiC 生态系统，并提高新加坡和该地区的半导体制造能力。该研究合作计划持续到 2024 年年中，旨在实现以下成果：
首先，开发用于 Smart Cut SiC 衬底的 SiC 外延和 MOSFET 制造工艺，在制造过程中减少缺陷并提高产量，从而生产更高质量的微芯片晶体管；其次，为在 Smart Cut SiC 衬底上制造的 SiC 功率 MOSFET 器件建立基准，并展示该工艺与传统量产衬底的优势。
IME 执行董事 Terence Gan 表示：“A*STAR 的微电子研究所和 Soitec 之间的联合研究是为了利用创新技术开发下一代半导体器件，这得益于双方在研发方面的深厚能力。”他补充道，“我们期待与 Soitec 合作，为当地的研发生态系统和半导体行业不断增长的 SiC 参与者增加价值。”
Soitec 首席技术官兼高级执行副总裁 Christophe Maleville 表示：“这是我们与新加坡微电子研究所合作并展示 SmartSiC 衬底可扩展到 200mm 的绝佳机会。鉴于这种材料令人兴奋的潜力，此次合作为开发先进的外延解决方案以生产具有节能特性的更高质量的 SiC 晶圆铺平了道路。作为这一新工艺的主要受益者，新加坡的半导体生态系统将有机会验证通过我们合作生产的 SiC 晶圆的卓越能效。”
来源：CSC化合物半导体